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Susceptores de base de grafite revestidos com SiC para MOCVD

Susceptores de base de grafite revestidos com SiC para MOCVD

Os susceptores de base de grafite revestidos com SiC da Semicorex para MOCVD são transportadores de qualidade superior usados ​​na indústria de semicondutores. Nosso produto é projetado com carboneto de silício de alta qualidade que oferece excelente desempenho e durabilidade de longa duração. Este transportador é ideal para uso no processo de crescimento de uma camada epitaxial no chip wafer.

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Placa de transporte SiC Grafite RTP para MOCVD

Placa de transporte SiC Grafite RTP para MOCVD

A placa transportadora RTP de grafite SiC Semicorex para MOCVD oferece resistência térmica superior e uniformidade térmica, tornando-a a solução perfeita para aplicações de processamento de wafer semicondutor. Com um grafite revestido de SiC de alta qualidade, este produto é projetado para suportar o ambiente de deposição mais severo para crescimento epitaxial. A alta condutividade térmica e as excelentes propriedades de distribuição de calor garantem um desempenho confiável para RTA, RTP ou limpeza química agressiva.

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Placa transportadora RTP revestida com SiC para crescimento epitaxial

Placa transportadora RTP revestida com SiC para crescimento epitaxial

A placa transportadora RTP revestida com SiC Semicorex para crescimento epitaxial é a solução perfeita para aplicações de processamento de wafer semicondutor. Com seus susceptores de grafite de carbono de alta qualidade e cadinhos de quartzo processados ​​por MOCVD na superfície de grafite, cerâmica, etc., este produto é ideal para manuseio de wafer e processamento de crescimento epitaxial. O suporte revestido de SiC garante alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor, tornando-o uma escolha confiável para RTA, RTP ou limpeza química agressiva.

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Transportador RTP para crescimento epitaxial MOCVD

Transportador RTP para crescimento epitaxial MOCVD

O Semicorex RTP Carrier para MOCVD Epitaxial Growth é ideal para aplicações de processamento de wafer semicondutor, incluindo crescimento epitaxial e processamento de manuseio de wafer. Susceptores de grafite de carbono e cadinhos de quartzo são processados ​​por MOCVD na superfície de grafite, cerâmica, etc. Nossos produtos têm uma boa vantagem de preço e cobrem muitos dos mercados europeu e americano. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na China.

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Portador de gravação ICP de carboneto de silício

Portador de gravação ICP de carboneto de silício

Procurando um transportador de wafer confiável para processos de gravação? Não procure mais do que o Carbeto de Silício ICP Etching Carrier da Semicorex. Nosso produto é projetado para suportar altas temperaturas e limpeza química severa, garantindo durabilidade e longevidade. Com uma superfície limpa e lisa, nosso transportador é perfeito para manusear wafers imaculados.

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Placa SiC para Processo de Gravação ICP

Placa SiC para Processo de Gravação ICP

A placa SiC da Semicorex para o processo de gravação ICP é a solução perfeita para requisitos de processamento químico severo e de alta temperatura na deposição de filme fino e manuseio de wafer. Nosso produto possui resistência superior ao calor e uniformidade térmica uniforme, garantindo espessura e resistência consistentes da camada epi. Com uma superfície limpa e lisa, nosso revestimento de cristal SiC de alta pureza oferece um manuseio ideal para wafers imaculados.

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