Recentemente, nossa empresa anunciou que desenvolveu com sucesso um único cristal de óxido de gálio de 6 polegadas usando o método de fundição, tornando-se a primeira empresa industrializada nacional a dominar a tecnologia de preparação de substrato de óxido de gálio único de 6 polegadas.
consulte Mais informaçãoO processo de crescimento do silício monocristalino ocorre predominantemente dentro de um campo térmico, onde a qualidade do ambiente térmico impacta significativamente a qualidade do cristal e a eficiência do crescimento. O design do campo térmico desempenha um papel fundamental na formação de grad......
consulte Mais informaçãoO carboneto de silício (SiC) é um material que possui alta energia de ligação, semelhante a outros materiais duros como diamante e nitreto cúbico de boro. No entanto, a alta energia de ligação do SiC torna difícil a cristalização direta em lingotes através de métodos tradicionais de fusão. Portanto,......
consulte Mais informaçãoOs materiais semicondutores podem ser divididos em três gerações de acordo com a sequência temporal. A primeira geração de germânio, silício e outros monomateriais comuns, caracterizada por comutação conveniente, geralmente utilizada em circuitos integrados. A segunda geração de arsenieto de gálio, ......
consulte Mais informaçãoÀ medida que o mundo procura novas oportunidades em semicondutores, o nitreto de gálio continua a destacar-se como um potencial candidato para futuras aplicações de energia e RF. Contudo, apesar de todos os benefícios que oferece, ainda enfrenta um grande desafio; não existem produtos do tipo P (tip......
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