China Bolacha de SiC Fabricantes, Fornecedores, Fábrica

Uma fatia fina de material semicondutor é chamada de wafer, que é feito de material de cristal único muito puro. No processo Czochralski, um lingote cilíndrico de um semicondutor monocristalino altamente puro é feito puxando um cristal semente de um fundido.

O carboneto de silício (SiC) e seus politipos fazem parte da civilização humana há muito tempo; o interesse técnico deste composto duro e estável foi percebido em 1885 e 1892 por Cowless e Acheson para fins de retificação e corte, levando à sua fabricação em larga escala.

Excelentes propriedades físicas e químicas tornam o carboneto de silício (SiC) um candidato proeminente para uma variedade de aplicações, incluindo alta temperatura, alta potência e alta frequência e dispositivos optoeletrônicos, um componente estrutural em reatores de fusão, material de revestimento para refrigeração a gás reatores de fissão e uma matriz inerte para a transmutação de Pu. Diferentes politipos de SiC, como 3C, 6H e 4H, têm sido amplamente utilizados. A implantação de íons é uma técnica crítica para introduzir seletivamente dopantes para a produção de dispositivos baseados em Si, para fabricar pastilhas de SiC tipo p e tipo n.

o lingoteé então cortado para formar pastilhas SiC de carboneto de silício.

Propriedades do material de carboneto de silício

Diferentes tipos de pastilhas de SiC

Existem três tipos:wafer sic tipo n, wafer sic tipo pewafer sic semi-isolante de alta pureza. A dopagem refere-se à implantação iônica que introduz impurezas em um cristal de silício. Esses dopantes permitem que os átomos do cristal formem ligações iônicas, tornando o outrora intrínseco cristal extrínseco. Este processo introduz dois tipos de impurezas; tipo N e tipo P. O tipo que ele se torna depende dos materiais usados ​​para criar a reação química. A diferença entre a bolacha de SiC tipo N e tipo P é o material primário usado para criar a reação química durante a dopagem. Dependendo do material usado, o orbital externo terá cinco ou três elétrons fazendo um carregado negativamente (tipo N) e outro carregado positivamente (tipo P).

Os wafers de SiC tipo N são usados ​​principalmente em veículos de energia nova, transmissão e subestação de alta tensão, linha branca, trens de alta velocidade, motores, inversores fotovoltaicos, fontes de alimentação de pulso, etc. Eles têm as vantagens de reduzir a perda de energia do equipamento, melhorando confiabilidade do equipamento, reduzindo o tamanho do equipamento e melhorando o desempenho do equipamento, e tem vantagens insubstituíveis na fabricação de dispositivos eletrônicos de potência.

O wafer de SiC semi-isolante de alta pureza é usado principalmente como substrato de dispositivos de RF de alta potência.

Epitaxia - Deposição de Nitreto III-V

Camadas epitaxiais de SiC, GaN, AlxGa1-xN e InyGa1-yN sobre substrato de SiC ou substrato de safira.