Wafer SiC tipo N de 8 polegadas

A Semicorex possui uma linha completa de produtos de wafer de carboneto de silício (SiC), incluindo substratos 4H e 6H com wafers tipo N, tipo P e semi-isolantes de alta pureza, podendo ser com ou sem epitaxia.

Nosso wafer SiC tipo N de 8 polegadas é um tipo de wafer de alta qualidade feito de um único cristal de carboneto de silício com dopagem tipo N, que é duplamente polido. Projetado para uso em uma ampla gama de aplicações, desde eletrônica de potência até dispositivos de alta frequência, este wafer está na vanguarda da revolução do carboneto de silício.

O material SiC usado neste wafer possui condutividade térmica excepcional, permitindo uma dissipação de calor eficiente e reduzindo a resistência térmica. Esse recurso garante a confiabilidade e a longevidade dos dispositivos que operam em altas temperaturas, tornando-o perfeito para ambientes exigentes onde a robustez é crucial.

Além disso, o Wafer SiC tipo N de 8 polegadas oferece excelentes propriedades elétricas, como alta mobilidade da portadora e baixas perdas de energia, levando a capacidades aprimoradas de manipulação de energia e redução do consumo de energia. Esses atributos o tornam uma excelente escolha para aplicações de eletrônica de potência, incluindo inversores, conversores e acionamentos de motores, onde a eficiência e a confiabilidade são fundamentais.