Bolacha de SiC tipo N de 8 polegadas

A Semicorex possui uma linha completa de wafers de carboneto de silício (SiC), incluindo substratos 4H e 6H com wafers tipo N, tipo P e semi-isolantes de alta pureza, podendo ser com ou sem epitaxia.

Nossa bolacha de SiC tipo N de 8 polegadas é um tipo de bolacha de alta qualidade feita de um único cristal de carboneto de silício com uma dopagem tipo N, que é duplamente polida. Projetado para uso em uma ampla gama de aplicações, desde eletrônica de potência até dispositivos de alta frequência, este wafer está na vanguarda da revolução do carboneto de silício.

O material SiC usado neste wafer possui condutividade térmica excepcional, permitindo a dissipação de calor eficiente e reduzindo a resistência térmica. Esse recurso garante a confiabilidade e longevidade dos dispositivos que operam em altas temperaturas, tornando-o perfeito para ambientes exigentes onde a robustez é crucial.

Além disso, o Wafer SiC tipo N de 8 polegadas oferece excelentes propriedades elétricas, como alta mobilidade de portadora e baixas perdas de energia, levando a recursos aprimorados de manuseio de energia e consumo de energia reduzido. Esses atributos o tornam uma excelente escolha para aplicações de eletrônica de potência, incluindo inversores, conversores e acionamentos de motores, onde a eficiência e a confiabilidade são primordiais.