Bolacha de Substrato de SiC tipo P

A Semicorex possui uma linha completa de wafers de carboneto de silício (SiC), incluindo substratos 4H e 6H com wafers tipo N, tipo P e semi-isolantes de alta pureza, podendo ser com ou sem epitaxia.

O Wafer de Substrato de SiC tipo P da Semicorex é projetado com um acabamento de superfície duplamente polido, garantindo planicidade e qualidade de superfície superiores. Esse recurso é crucial para garantir a deposição consistente e precisa de materiais semicondutores durante a fabricação do dispositivo.

Nosso substrato de SiC tipo P oferece excelente condutividade elétrica, tornando-o um material de substrato ideal para dispositivos eletrônicos de alta temperatura e alta potência. Suas propriedades exclusivas permitem um bom desempenho em ambientes agressivos, incluindo altas temperaturas, alta radiação e condições corrosivas.