Lingote de SiC tipo N de 4" 6" 8"

A Semicorex fornece lingote de SiC tipo N com 4 polegadas, 6 polegadas e 8 polegadas. Somos fabricantes e fornecedores de wafers há muitos anos. Nosso lingote de SiC tipo N de 4" 6" 8" tem uma boa vantagem de preço e cobre a maioria dos mercados europeu e americano. Esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

A Semicorex fornece Lingote de SiC tipo N de 4" 6" 8" Nós somos fabricantes e fornecedores de wafers há muitos anos.

Especificação de lingote de SiC tipo N de 4 polegadas
Unid			Grau de produção			Nota fictícia
Politipo			4H
dopante			Nitrogênio tipo n
Resistividade			0,015~0,025 ohm ·cm			0,015~0,028 ohm ·cm
Diâmetro			100,25±0,25 mm
Grossura			¥¥15 mm
Erro de orientação da superfície			4°em direção a <11-20>±0,2°
Orientação plana primária			[1- 100]±5,0°
Comprimento plano primário			32,5±1,5 mm
apartamento secundário			90,0°CW do Primário ±5,0°, silício voltado para cima
Comprimento plano secundário			18±1,5 mm
Densidade do microtubo			¤0,5 ea/cm2			â¤10 ea/cm2
DBP			â¤2000 ea/cm2			--
TSD			â¤500 ea/cm2			--
Rachaduras na borda			â¤3 eaï¼â¤1mm/ea			â¤5 eaï¼â¤3mm/ea
Áreas politípicas			Nenhum			â¤5% de área
Recuos de borda			â¤3 eaï¼â¤1mm de largura e profundidade			â¤5 eaï¼â¤2mm de largura e profundidade
Rótulo			cara C
Embalagem			cassete de lingote unitário, embalagem a vácuo
Especificação de lingote de SiC tipo N de 6 polegadas
Unid		Grau de produção			Nota fictícia
Politipo		4H
dopante		Nitrogênio tipo n
Resistividade		0,015~0,025			0,015~0,028
Diâmetro		150,25±0,25 mm
Grossura		¥¥15 mm
Erro de orientação da superfície		4°em direção a <11-20>±0,2°
Orientação plana primária		[1- 100]±5,0°
Comprimento plano primário		47,5±1,5 mm
Densidade do microtubo		¤0,5 ea/cm2			â¤10 ea/cm2
DBP		â¤2000 ea/cm2			--
TSD		â¤500 ea/cm2			--
Rachaduras na borda		â¤3 eaï¼â¤1mm/ea			â¤5 eaï¼â¤3mm/ea
Áreas politípicas		Nenhum			â¤5% de área
Recuos de borda		â¤3 eaï¼â¤1mm de largura e profundidade			â¤5 eaï¼â¤2mm de largura e profundidade
Rótulo		cara C
Embalagem		cassete de lingote unitário, embalagem a vácuo
Especificação de lingote de SiC tipo N de 8 polegadas
Unid	Grau de produção			Nota de pesquisa			Nota fictícia
Politipo	4H
dopante	Nitrogênio tipo n
Resistividade	0,015~0,028			0,01~0,04			N / D
Diâmetro	200,25±0,25 mm
Grossura	N / D
Erro de orientação da superfície	4°em direção a <11-20>±0,5°
Orientação do entalhe	[1- 100]±5,0°
Profundidade do entalhe	1 ~ 1,5 mm
Densidade do microtubo	â¤2 ea/cm2			â¤10 ea/cm2			â¤50 ea/cm2
DBP	â¤2000 ea/cm2			â¤500 ea/cm2			--
TSD	â¤500 ea/cm2			â¤1000 ea/cm2			--
Rachaduras na borda	â¤3 eaï¼â¤1mm/ea			â¤4 eaï¼â¤2mm/ea			â¤5 eaï¼â¤3mm/ea
Áreas politípicas	Nenhum			â¤20% área			â¤30% área
Recuos de borda	â¤3 eaï¼â¤1mm de largura e profundidade			â¤4 eaï¼â¤2mm de largura e profundidade			â¤5 eaï¼â¤2mm de largura e profundidade
Rótulo	cara C
Embalagem	cassete de lingote unitário, embalagem a vácuo