Lingote de SiC tipo N de 4" 6" 8"

A Semicorex fornece lingotes de SiC tipo N com 4 polegadas, 6 polegadas e 8 polegadas. Somos fabricantes e fornecedores de wafers há muitos anos. Nosso lingote de SiC tipo N de 4" 6" 8" tem uma boa vantagem de preço e cobre a maior parte dos mercados europeu e americano. Estamos ansiosos para nos tornar seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

A Semicorex fornece lingote de SiC tipo N de 4" 6" 8". Somos fabricantes e fornecedores de wafers há muitos anos.

Especificação de lingote de SiC tipo N de 4 polegadas
Unid			Grau de produção			Nota fictícia
Politipo			4H
Dopante			Nitrogênio tipo n
Resistividade			0,015~0,025 ohm·cm			0,015~0,028 ohm·cm
Diâmetro			100,25±0,25mm
Grossura			≥15mm
Erro de orientação de superfície			4° em direção a<11-20>±0,2°
Orientação plana primária			[1-100]±5,0°
Comprimento plano primário			32,5±1,5mm
Apartamento secundário			90,0°CW do Primário ±5,0°, silício voltado para cima
Comprimento plano secundário			18±1,5mm
Densidade de microtubos			≤0,5 ea/cm2			≤10 ea/cm2
DBP			≤2000 ea/cm2			--
TSD			≤500 ea/cm2			--
Rachaduras nas bordas			≤3 de,≤1mm/ea			≤5 de,≤3mm/ea
Áreas politípicas			Nenhum			≤5% de área
Recuos de borda			≤3 cada,≤1mm de largura e profundidade			≤5 cada,≤2mm de largura e profundidade
Rótulo			Face C
Embalagem			cassete de lingotes unitários, embalagem a vácuo
Especificação de lingote de SiC tipo N de 6 polegadas
Unid		Grau de produção			Nota fictícia
Politipo		4H
Dopante		Nitrogênio tipo n
Resistividade		0,015~0,025			0,015~0,028
Diâmetro		150,25±0,25mm
Grossura		≥15mm
Erro de orientação de superfície		4° em direção a<11-20>±0,2°
Orientação plana primária		[1-100]±5,0°
Comprimento plano primário		47,5±1,5mm
Densidade de microtubos		≤0,5 ea/cm2			≤10 ea/cm2
DBP		≤2000 ea/cm2			--
TSD		≤500 ea/cm2			--
Rachaduras nas bordas		≤3 de,≤1mm/ea			≤5 de,≤3mm/ea
Áreas politípicas		Nenhum			≤5% de área
Recuos de borda		≤3 cada,≤1mm de largura e profundidade			≤5 cada,≤2mm de largura e profundidade
Rótulo		Face C
Embalagem		cassete de lingotes unitários, embalagem a vácuo
Especificação de lingote de SiC tipo N de 8 polegadas
Unid	Grau de produção			Grau de pesquisa			Nota fictícia
Politipo	4H
Dopante	Nitrogênio tipo n
Resistividade	0,015~0,028			0,01~0,04			QUE
Diâmetro	200,25±0,25mm
Grossura	QUE
Erro de orientação de superfície	4° em direção a<11-20>±0,5°
Orientação do entalhe	[1-100]±5,0°
Profundidade do entalhe	1~1,5mm
Densidade de microtubos	≤2 ea/cm2			≤10 ea/cm2			≤50 ea/cm2
DBP	≤2000 ea/cm2			≤500 ea/cm2			--
TSD	≤500 ea/cm2			≤1000 ea/cm2			--
Rachaduras nas bordas	≤3 de,≤1mm/ea			≤4 de,≤2mm/ea			≤5 de,≤3mm/ea
Áreas politípicas	Nenhum			≤20% de área			≤30% de área
Recuos de borda	≤3 cada,≤1mm de largura e profundidade			≤4 cada,≤2mm de largura e profundidade			≤5 cada,≤2mm de largura e profundidade
Rótulo	Face C
Embalagem	cassete de lingotes unitários, embalagem a vácuo