Como fabricante profissional, gostaríamos de fornecer a você GaN em SiC Epitaxy. E ofereceremos o melhor serviço pós-venda e entrega pontual. O GaN no SiC combinou a excelente condutividade térmica do SiC com a alta densidade de potência e baixa capacidade de perda do GaN, sendo muito usado no campo de infraestrutura sem fio, defesa e satélites de comunicação.
A Semicorex fornece um susceptor revestido de carboneto de silício (SiC) de alta pureza que oferece resistência superior ao calor, uniformidade térmica uniforme para espessura e resistência consistentes da camada epi e resistência química durável. Essas propriedades o tornam um material atraente para MOCVD ou HEMT para crescer a camada epitaxial.
Susceptor de grafite Semicorex projetado especificamente para equipamentos de epitaxia com alta resistência ao calor e à corrosão na China. Nossos susceptores de substrato GaN-on-SiC têm uma boa vantagem de preço e cobrem muitos dos mercados europeu e americano. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na China.
consulte Mais informaçãoEnviar consultaA Semicorex é um fabricante independente líder de grafite revestido de carboneto de silício, grafite de alta pureza usinado com precisão, com foco nas áreas de grafite revestido de carboneto de silício, cerâmica de carboneto de silício e MOCVP de fabricação de semicondutores. Nosso transportador de wafers epitaxial GaN-on-SiC tem uma boa vantagem de preço e cobre muitos dos mercados europeu e americano. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na China.
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