Você pode ter certeza de comprar ICP Etching Carrier de nossa fábrica e ofereceremos o melhor serviço pós-venda e entrega pontual. O susceptor de bolacha Semicorex é feito de grafite revestido de carboneto de silício usando o processo de deposição química de vapor (CVD). Este material possui propriedades únicas, incluindo alta temperatura e resistência química, excelente resistência ao desgaste, alta condutividade térmica e alta resistência e rigidez. Essas propriedades o tornam um material atraente para várias aplicações de alta temperatura, incluindo sistemas de corrosão por plasma acoplado indutivamente (ICP).
Fornecemos serviço personalizado, ajudamos você a inovar com componentes que duram mais, reduzem os tempos de ciclo e melhoram os rendimentos.
O componente ICP revestido com SiC da Semicorex foi projetado especificamente para processos de manuseio de wafer de alta temperatura, como epitaxia e MOCVD. Com um fino revestimento de cristal de SiC, nossos transportadores oferecem resistência superior ao calor, uniformidade térmica uniforme e resistência química durável.
consulte Mais informaçãoEnviar consultaQuando se trata de processos de manuseio de wafer, como epitaxia e MOCVD, o revestimento SiC de alta temperatura da Semicorex para câmaras de gravação a plasma é a melhor escolha. Nossos transportadores oferecem resistência superior ao calor, uniformidade térmica uniforme e resistência química durável graças ao nosso fino revestimento de cristal SiC.
consulte Mais informaçãoEnviar consultaA bandeja de gravação de plasma ICP da Semicorex foi projetada especificamente para processos de manuseio de wafer de alta temperatura, como epitaxia e MOCVD. Com uma resistência estável à oxidação em alta temperatura de até 1600°C, nossos transportadores fornecem perfis térmicos uniformes, padrões de fluxo de gás laminar e evitam contaminação ou difusão de impurezas.
consulte Mais informaçãoEnviar consultaO suporte revestido de SiC da Semicorex para o sistema de gravação por plasma ICP é uma solução confiável e econômica para processos de manuseio de wafer de alta temperatura, como epitaxia e MOCVD. Nossos transportadores apresentam um fino revestimento de cristal de SiC que oferece resistência superior ao calor, uniformidade térmica uniforme e resistência química durável.
consulte Mais informaçãoEnviar consultaO susceptor revestido de carboneto de silício da Semicorex para plasma indutivamente acoplado (ICP) foi projetado especificamente para processos de manuseio de wafer de alta temperatura, como epitaxia e MOCVD. Com uma resistência estável à oxidação em alta temperatura de até 1600°C, nossos carreadores garantem perfis térmicos uniformes, padrões de fluxo de gás laminar e evitam contaminação ou difusão de impurezas.
consulte Mais informaçãoEnviar consultaO suporte de wafer de gravação ICP da Semicorex é a solução perfeita para processos de manuseio de wafer de alta temperatura, como epitaxia e MOCVD. Com uma resistência estável à oxidação em alta temperatura de até 1600°C, nossos carreadores garantem perfis térmicos uniformes, padrões de fluxo de gás laminar e evitam contaminação ou difusão de impurezas.
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