Portador de wafer de gravação

O portador de wafer de gravura semicorex é uma plataforma de suporte ao substrato de alto desempenho projetada para processos de fabricação de semicondutores, especificamente para aplicações de gravação de wafer. Projetado com uma base de grafite de alta pureza e revestido com carboneto de silício de deposição de vapor químico (CVD), este portador de wafer fornece resistência química excepcional, estabilidade térmica e durabilidade mecânica, garantindo o desempenho ideal em ambientes de gravura de alta precisão.

O transportador de wafer de gravação é revestido com uma camada uniforme de CVD SiC, que aumenta significativamente sua resistência química contra plasma agressivo e gases corrosivos utilizados no processo de gravação. A CVD é a principal tecnologia para preparar o revestimento SiC na superfície do substrato no momento. O processo principal é que as matérias -primas do reagente da fase gasosa passam por uma série de reações físicas e químicas na superfície do substrato e, finalmente, depositam na superfície do substrato para preparar o revestimento SiC. O revestimento SiC preparado pela tecnologia CVD está intimamente ligado à superfície do substrato, o que pode melhorar efetivamente a resistência a oxidação e a resistência à ablação do material do substrato, mas o tempo de deposição desse método é longo e o gás de reação contém certos gases tóxicos.

Revestimento de carboneto de silício CVDAs peças são amplamente utilizadas em equipamentos de gravação, equipamentos MOCVD, equipamentos epitaxiais de SI e equipamentos epitaxiais de SiC, equipamentos de processamento térmico rápido e outros campos. No geral, o maior segmento de mercado de peças de revestimento de carboneto de silício CVD é o equipamento de gravação e as peças de equipamentos epitaxiais. Devido à baixa reatividade e condutividade do revestimento de carboneto de silício CVD a gases de gravação contendo cloro e contendo fluorina, torna-se um material ideal para focar anéis e outras partes do equipamento de gravura plasmática.CVD SIC Partsem equipamentos de gravação incluemAnéis de foco, Cabeças de banho a gás, bandejas,Anéis de borda, etc. Tome o anel de foco como exemplo. O anel de foco é um componente importante colocado fora da bolacha e em contato direto com a bolacha. A tensão é aplicada ao anel para focar o plasma que passa pelo anel, concentrando assim o plasma na bolacha para melhorar a uniformidade do processamento. Os anéis de foco tradicionais são feitos de silício ou quartzo. Com o avanço da miniaturização do circuito integrado, a demanda e a importância dos processos de gravação na fabricação de circuitos integrados estão aumentando, e a energia e a energia do plasma de gravação continuam aumentando.

O revestimento SiC oferece resistência superior a químicas de graor (F₂) e à base de cloro (CL₂), impedindo a degradação e mantendo a integridade estrutural sobre o uso prolongado. Essa robustez química garante desempenho consistente e reduz os riscos de contaminação durante o processamento de bolacas. O transportador de wafer pode ser adaptado a vários tamanhos de bolacha (por exemplo, 200 mm, 300 mm) e requisitos específicos do sistema de gravura. Estão disponíveis projetos de slots e padrões de orifícios personalizados para otimizar o posicionamento da bolas, o controle do fluxo de gás e a eficiência do processo.

Aplicações e benefícios

O portador de wafer de gravação é usado principalmente na fabricação de semicondutores para processos de gravação a seco, incluindo gravura plasmática (PE), gravura de íons reativos (RIE) e gravação de íons reativos profundos (DRIE). É amplamente adotado na produção de circuitos integrados (ICS), dispositivos MEMS, eletrônicos de potência e bolachas semicondutoras compostas. Seu revestimento robusto de SiC garante resultados consistentes de gravação, impedindo a degradação do material. A combinação de grafite e SiC fornece durabilidade a longo prazo, reduzindo os custos de manutenção e reposição. A superfície SiC suave e densa minimiza a geração de partículas, garantindo alto rendimento de wafer e desempenho superior do dispositivo. A resistência excepcional a ambientes de gravação severa reduz a necessidade de substituições frequentes, melhorando a eficiência da fabricação.