Procurando um transportador de wafer confiável para processos de gravação? Não procure mais do que o Carbeto de Silício ICP Etching Carrier da Semicorex. Nosso produto é projetado para suportar altas temperaturas e limpeza química severa, garantindo durabilidade e longevidade. Com uma superfície limpa e lisa, nosso transportador é perfeito para manusear wafers imaculados.
Garanta padrões ideais de fluxo de gás laminar e uniformidade do perfil térmico com o Carbeto de Silício ICP Etching Carrier da Semicorex. Nosso produto é projetado para alcançar os melhores resultados possíveis para deposição de filmes finos e processos de manuseio de wafer. Com resistência superior ao calor e à corrosão, nosso transportador é a escolha perfeita para aplicações exigentes.
Na Semicorex, nos concentramos em fornecer produtos de alta qualidade e econômicos aos nossos clientes. Nosso Carbeto de Silício ICP Etching Carrier tem uma vantagem de preço e é exportado para muitos mercados europeus e americanos. Nosso objetivo é ser seu parceiro de longo prazo, oferecendo produtos de qualidade consistente e atendimento excepcional ao cliente.
Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso Carbeto de Silício ICP Etching Carrier.
Parâmetros do Carbeto de Silício ICP Etching Carrier
Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
||
Propriedades do SiC-CVD |
||
Estrutura de cristal |
FCC fase β |
|
Densidade |
g/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamanho de grão |
μm |
2~10 |
Pureza Química |
% |
99.99995 |
Capacidade de calor |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Temperatura de sublimação |
℃ |
2700 |
Força Felexural |
MPa (RT 4 pontos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (dobra de 4pt, 1300â) |
430 |
Expansão Térmica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Características do Carbeto de Silício ICP Etching Carrier
- Evite descascar e assegure o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feito por deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir a uniformidade do perfil térmico
- Prevenir qualquer contaminação ou difusão de impurezas