Grafite revestida com carbono de silício ICP

O grafite revestido com carbono e silício ICP da Semicorex é a escolha ideal para processos exigentes de manuseio de wafer e deposição de filmes finos. Nosso produto possui resistência superior ao calor e à corrosão, uniformidade térmica e padrões ideais de fluxo de gás laminar.

Enviar consulta

Descrição do produto

Os transportadores de wafer usados no processamento de crescimento epitaxial devem suportar altas temperaturas e limpeza química severa. Os susceptores de grafite revestidos com carbono e silício Semicorex ICP são projetados especificamente para essas exigentes aplicações de equipamentos de epitaxia. Nosso produto foi projetado para suportar altas temperaturas e limpezas químicas agressivas, garantindo longevidade e ótimos resultados.
Nosso grafite revestido com carbono e silício ICP foi projetado para atingir o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo uniformidade do perfil térmico. Isto ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo um crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.
Contate-nos hoje para saber mais sobre nosso grafite revestido com carbono e silício ICP.

Parâmetros de grafite revestida com carbono e silício ICP

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J kg-1 K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300