Placa SiC para Processo de Gravura ICP

A placa SiC da Semicorex para processo de gravação ICP é a solução perfeita para requisitos de processamento químico severos e de alta temperatura na deposição de filmes finos e manuseio de wafers. Nosso produto possui resistência ao calor superior e até uniformidade térmica, garantindo espessura e resistência consistentes da camada epi. Com uma superfície limpa e lisa, nosso revestimento de cristal SiC de alta pureza proporciona um manuseio ideal para wafers imaculados.

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Descrição do produto

Obtenha processos de epitaxia e MOCVD da mais alta qualidade com a placa SiC da Semicorex para processo de gravação ICP. Nosso produto é projetado especificamente para esses processos, oferecendo resistência superior ao calor e à corrosão. Nosso fino revestimento de cristal SiC fornece uma superfície limpa e lisa, permitindo o manuseio ideal dos wafers.

Nossa placa SiC para processo de gravação ICP foi projetada para atingir o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo uniformidade do perfil térmico. Isto ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo um crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.

Contate-nos hoje para saber mais sobre nossa placa SiC para processo de gravação ICP.

Parâmetros da placa SiC para processo de gravação ICP

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J kg-1 K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300