Transportador de gravação ICP revestido com SiC

Os transportadores de wafer usados ​​em fases de deposição de filme fino, como epitaxia ou MOCVD, ou processamento de manuseio de wafer, como gravação, devem suportar altas temperaturas e limpeza química severa. A Semicorex fornece suporte de gravação ICP revestido com SiC de alta pureza que oferece resistência ao calor superior, uniformidade térmica uniforme para espessura e resistência consistentes da camada epi e resistência química durável. O revestimento fino de cristal SiC fornece uma superfície limpa e lisa, crítica para o manuseio, uma vez que os wafers imaculados entram em contato com o susceptor em muitos pontos em toda a sua área.

Nosso transportador de gravação ICP revestido com SiC foi projetado para atingir o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo uniformidade do perfil térmico. Isto ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo um crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.

Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso transportador de gravação ICP revestido com SiC.

Parâmetros do transportador de gravação ICP revestido com SiC

Características do transportador de gravação ICP revestido com SiC de alta pureza

-Evite descascar e garanta o revestimento em toda a superfície

Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C

Alta pureza: feita por deposição química de vapor CVD sob condições de cloração de alta temperatura.

Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.

Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.

- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar

- Garantir uniformidade do perfil térmico

- Evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas