Portador de gravação ICP revestido com SiC

Os transportadores de wafer usados ​​em fases de deposição de filmes finos, como epitaxia ou MOCVD, ou processamento de manuseio de wafer, como corrosão, devem suportar altas temperaturas e limpeza química severa. A Semicorex fornece suporte de gravação ICP revestido de SiC de alta pureza, que oferece resistência superior ao calor, uniformidade térmica uniforme para espessura e resistência consistentes da camada epi e resistência química durável. O revestimento fino de cristal de SiC fornece uma superfície limpa e lisa, essencial para o manuseio, pois os wafers intactos entram em contato com o susceptor em muitos pontos em toda a sua área.

Nosso transportador de corrosão ICP revestido com SiC foi projetado para obter o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo a uniformidade do perfil térmico. Isso ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.

Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso suporte de gravação ICP revestido com SiC.

Parâmetros do suporte de gravação ICP revestido com SiC

Características do suporte de gravação ICP revestido com SiC de alta pureza

- Evite descascar e assegure o revestimento em toda a superfície

Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C

Alta pureza: feito por deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura.

Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.

Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.

- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar

- Garantir a uniformidade do perfil térmico

- Prevenir qualquer contaminação ou difusão de impurezas