Suporte de wafer para processo de gravação ICP

Escolha o suporte de wafer da Semicorex para processo de gravação ICP para desempenho confiável e consistente no manuseio de wafer e processos de deposição de filme fino. Nosso produto oferece resistência à oxidação em alta temperatura, alta pureza e resistência à corrosão para ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
Nosso suporte de wafer para processo de gravação ICP foi projetado para obter o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo a uniformidade do perfil térmico. Isso ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.
Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso suporte de wafer para processo de gravação ICP.

Parâmetros do suporte de wafer para processo de gravação ICP

Características do suporte de wafer para processo de gravação ICP

- Evite descascar e assegure o revestimento em toda a superfície

Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C

Alta pureza: feito por deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura.

Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.

Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.

- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar

- Garantir a uniformidade do perfil térmico

- Prevenir qualquer contaminação ou difusão de impurezas