Suporte de wafer para processo de gravação ICP

O suporte de wafer da Semicorex para processo de gravação ICP é a escolha perfeita para processos exigentes de manuseio de wafer e deposição de filmes finos. Nosso produto possui resistência superior ao calor e à corrosão, uniformidade térmica e padrões ideais de fluxo de gás laminar para resultados consistentes e confiáveis.

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Descrição do produto

Escolha o suporte de wafer da Semicorex para processo de gravação ICP para desempenho confiável e consistente em processos de manuseio de wafer e deposição de filme fino. Nosso produto oferece resistência à oxidação em alta temperatura, alta pureza e resistência à corrosão por ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
Nosso suporte de wafer para processo de gravação ICP foi projetado para atingir o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo uniformidade do perfil térmico. Isto ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo um crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.
Contate-nos hoje para saber mais sobre nosso suporte de wafer para processo de gravação ICP.

Parâmetros do suporte de wafer para processo de gravação ICP

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J kg-1 K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300