Escolha o sistema de gravação de plasma ICP da Semicorex para processo PSS para processos de epitaxia e MOCVD de alta qualidade. Nosso produto é projetado especificamente para esses processos, oferecendo resistência superior ao calor e à corrosão. Com uma superfície limpa e lisa, nosso transportador é perfeito para manusear wafers imaculados.
O sistema de gravação por plasma ICP da Semicorex para processo PSS oferece excelente resistência ao calor e à corrosão para manuseio de wafers e processos de deposição de filmes finos. Nosso fino revestimento de cristal SiC oferece uma superfície limpa e lisa, garantindo o manuseio ideal de wafers imaculados.
Na Semicorex, nos concentramos em fornecer produtos de alta qualidade e econômicos aos nossos clientes. Nosso sistema de gravação por plasma ICP para processo PSS tem uma vantagem de preço e é exportado para muitos mercados europeus e americanos. Nosso objetivo é ser seu parceiro de longo prazo, fornecendo produtos de qualidade consistente e atendimento ao cliente excepcional.
Contate-nos hoje para saber mais sobre nosso Sistema de Gravura Plasma ICP para Processo PSS.
	
Parâmetros do Sistema de Gravura Plasma ICP para Processo PSS
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				 Principais especificações do revestimento CVD-SIC  | 
		||
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				 Propriedades SiC-CVD  | 
		||
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				 Estrutura Cristalina  | 
			
				 Fase β do FCC  | 
		|
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				 Densidade  | 
			
				 g/cm³  | 
			
				 3.21  | 
		
| 
				 Dureza  | 
			
				 Dureza Vickers  | 
			
				 2500  | 
		
| 
				 Tamanho do grão  | 
			
				 μm  | 
			
				 2~10  | 
		
| 
				 Pureza Química  | 
			
				 %  | 
			
				 99.99995  | 
		
| 
				 Capacidade de calor  | 
			
				 J kg-1 K-1  | 
			
				 640  | 
		
| 
				 Temperatura de Sublimação  | 
			
				 ℃  | 
			
				 2700  | 
		
| 
				 Força Felexural  | 
			
				 MPa (TR 4 pontos)  | 
			
				 415  | 
		
| 
				 Módulo de Young  | 
			
				 Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)  | 
			
				 430  | 
		
| 
				 Expansão Térmica (CTE)  | 
			
				 10-6K-1  | 
			
				 4.5  | 
		
| 
				 Condutividade térmica  | 
			
				 (W/mK)  | 
			
				 300  | 
		
	
Recursos do sistema de gravação de plasma ICP para processo PSS
-Evite descascar e garanta o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feita por deposição química de vapor CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir uniformidade do perfil térmico
- Evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas
	




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