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Sistema de gravação por plasma ICP para processo PSS

Sistema de gravação por plasma ICP para processo PSS

Escolha o sistema de gravação por plasma ICP da Semicorex para processo PSS para processos de epitaxia e MOCVD de alta qualidade. Nosso produto é projetado especificamente para esses processos, oferecendo resistência superior ao calor e à corrosão. Com uma superfície limpa e lisa, nosso transportador é perfeito para manusear wafers imaculados.

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Descrição do produto

O sistema ICP Plasma Etching da Semicorex para o processo PSS oferece excelente resistência ao calor e à corrosão para o manuseio de wafer e processos de deposição de filmes finos. Nosso fino revestimento de cristal SiC oferece uma superfície limpa e lisa, garantindo o manuseio ideal de wafers imaculados.

Na Semicorex, nos concentramos em fornecer produtos de alta qualidade e econômicos aos nossos clientes. Nosso sistema de gravação a plasma ICP para processo PSS tem uma vantagem de preço e é exportado para muitos mercados europeus e americanos. Nosso objetivo é ser seu parceiro de longo prazo, oferecendo produtos de qualidade consistente e atendimento excepcional ao cliente.

Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso sistema de gravação a plasma ICP para o processo PSS.


Parâmetros do sistema de gravação de plasma ICP para processo PSS

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades SiC-CVD

Estrutura de cristal

FCC fase β

Densidade

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamanho de grão

¼m

2~10

Pureza Química

%

99.99995

Capacidade de calor

J·kg-1 ·K-1

640

Temperatura de sublimação

2700

Força Felexural

MPa (RT 4 pontos)

415

Módulo de Young

Gpa (dobra de 4pt, 1300â)

430

Expansão Térmica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Condutividade térmica

(W/mK)

300


Características do sistema de gravação a plasma ICP para processo PSS

- Evite descascar e assegure o revestimento em toda a superfície

Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C

Alta pureza: feito por deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura.

Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.

Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.

- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar

- Garantir a uniformidade do perfil térmico

- Prevenir qualquer contaminação ou difusão de impurezas





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