Placa de gravação de plasma ICP

A placa de gravação a plasma ICP da Semicorex oferece resistência superior ao calor e à corrosão para manuseio de wafers e processos de deposição de filmes finos. Nosso produto é projetado para suportar altas temperaturas e limpezas químicas severas, garantindo durabilidade e longevidade. Com uma superfície limpa e lisa, nosso transportador é perfeito para manusear wafers imaculados.

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Descrição do produto

Quando se trata de deposição de filmes finos e manuseio de wafers, confie na placa de gravação de plasma ICP da Semicorex. Nosso produto oferece resistência superior ao calor e à corrosão, uniformidade térmica e padrões ideais de fluxo de gás laminar. Com uma superfície limpa e lisa, nosso transportador é perfeito para manusear wafers imaculados.

Nossa placa de gravação de plasma ICP foi projetada para atingir o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo uniformidade do perfil térmico. Isto ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo um crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.

Contate-nos hoje para saber mais sobre nossa placa de gravação de plasma ICP.

Parâmetros da placa de gravação de plasma ICP

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J kg-1 K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300