Placa de gravação de plasma ICP

A placa de gravação a plasma ICP da Semicorex oferece resistência superior ao calor e à corrosão para manuseio de wafer e processos de deposição de película fina. Nosso produto é projetado para suportar altas temperaturas e limpeza química severa, garantindo durabilidade e longevidade. Com uma superfície limpa e lisa, nosso transportador é perfeito para manusear wafers imaculados.

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Descrição do produto

Quando se trata de deposição de filme fino e manuseio de wafer, confie na placa de gravação de plasma ICP da Semicorex. Nosso produto oferece resistência superior ao calor e à corrosão, uniformidade térmica uniforme e padrões de fluxo de gás laminar ideais. Com uma superfície limpa e lisa, nosso transportador é perfeito para manusear wafers imaculados.

Nossa placa de gravação de plasma ICP foi projetada para alcançar o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo a uniformidade do perfil térmico. Isso ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.

Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nossa placa de gravação a plasma ICP.

Parâmetros da Placa de Gravação de Plasma ICP

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades do SiC-CVD
Estrutura de cristal	FCC fase β
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	Î¼m	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (dobra de 4pt, 1300â)	430
Expansão Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300