Transportadora sic para ICP

Projetado para atender às demandas intransigentes das ferramentas modernas de grafite e deposição indutivamente ecultiva, portador de grafite semicorexsic, oferecendo um raro equilíbrio de resiliência plasmática, precisão térmica e estabilidade mecânica. No seu núcleo, reside um substrato de grafite pequeno e pequeno, cuja orientação cristalina é fortemente controlada para produzir um comportamento anisotrópico extraordinário: a condutividade térmica no plano no plano supera em muito os graduados isostáticos convencionais, enquanto o caminho do plano no plano permanece deliberadamente moderado para suprimir manchas quentes do lado da bolacha. Esse gerenciamento direcional de fluxo de calor garante que todos os morreram em um rampa de temperatura uniforme e 300 mm experimente o rampa de temperatura uniforme e o equilíbrio do estado estacionário, traduzindo diretamente em distribuições mais estreitas de dimensão crítica (CD) e maior rendimento de dispositivos.

Em torno desta grafite ultra -pura, há uma camada conformal de silício -carboneto co -depositada em um forno CVD de alta temperatura. O revestimento SiC - quimicamente inerte até 2.000 ° C e com uma micro -porosidade inferior a 0,1% - forma um escudo impermeável contra radicais de fluorina, cloro e bromo comuns em químicas de ICP de alta densidade. O teste de resistência de longa duração nos plasmas CF₄/O₂, CL₂/BCL₃ e HBR/HE demonstrou taxas de erosão abaixo de 0,3 µmper100 horas, estendendo a vida útil do serviço da transportadora muito além das normas da indústria e reduzindo drasticamente o tempo de redução de manutenção preventiva.

A precisão dimensional é igualmente intominada: a planicidade da superfície é controlada dentro de ± 5 µm em toda a área de bolso, enquanto os recursos de exclusão de borda são feitos por laser para proteger o perímetro da bolacha da micro -ar -areching. A tolerância apertada, juntamente com a dureza quase diamante do SiC, resiste à geração de partículas sob panificação mecânica e ciclismo eletrostático, salvaguardando os processos de nó sub -10nm da contaminação por defeitos assassinos. Para os reatores de ICP de alta potência, a baixa resistividade elétrica do transportador (<40µΩ · m) promove a estabilização rápida do plano de solo de RF, minimizando as flutuações de tensão da bainha que, de outra forma, podem corroer os perfis fotorresístas ou induzir micro -fantasma.

Todos os lote de transportadores de semicorex passam por metrologia abrangente - o mapeamento de Raman para verificar o alinhamento cristalográfico de grafite, a seção transversal do SEM para confirmar a integridade da camada SiC e a análise de GAs residuais para certificar os limites de impureza do nível PPM. Como insistimos na produção de micro -traseiros (menos de 20 peças por execução), os gráficos de controle de processos estatísticos permanecem excepcionalmente apertados, permitindo -nos garantir a reprodutibilidade de wafer -wafer de que os fornecedores de mercado de massa simplesmente não podem corresponder. Geometrias personalizadas, profundidades de bolso e canais de resfriamento traseiro estão disponíveis com prazos de entrega tão curtos quanto três semanas, capacitando OEMs de equipamentos e FABs de alta mistura para otimizar as receitas da câmara sem redesenhar pilhas inteiras de hardware.

Ao unir a grafite anisotrópica de classe mundial com uma armadura hermética do SIC, o transportador de SiC semicorex para ICP fornece FABs uma plataforma de prolongamento, avento de contaminação e uniforme termicamente - que não apenas suporta os ambientes de plasma mais severos, mas aprimora ativamente o processo da janela e o desempenho do nível. Para os fabricantes de dispositivos que se esforçam para sempre larguras de linha, perfis mais íngremes e menor custo de propriedade, é o transportador de escolha onde todos os mícron, cada wafer e cada hora de tempo de atividade contam.