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Wafer HPSI SiC semi-isolante de 6 polegadas

A Semicorex fornece vários tipos de pastilhas de SiC 4H e 6H. Somos fabricantes e fornecedores de produtos de carboneto de silício há muitos anos. Nosso HPSI SiC Wafer semi-isolante de 6 polegadas com polimento duplo tem uma boa vantagem de preço e cobre a maioria dos mercados europeu e americano. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

A Semicorex possui uma linha completa de wafers de carboneto de silício (SiC), incluindo substratos 4H e 6H com wafers tipo N, tipo P e semi-isolantes de alta pureza, podendo ser com ou sem epitaxia.

O diâmetro de 6 polegadas do nosso HPSI SiC Wafer semi-isolante de 6 polegadas fornece uma grande área de superfície para a fabricação de dispositivos eletrônicos de potência, como MOSFETs, diodos Schottky e outras aplicações de alta tensão. O Wafer HPSI SiC semi-isolante de 6 polegadas é usado principalmente em comunicações 5G, sistemas de radar, cabeças de orientação, comunicações por satélite, aviões de guerra e outros campos, com as vantagens de aprimorar o alcance de RF, identificação de alcance ultralongo, anti-interferência e alta -aplicações de transferência de informações de alta velocidade e alta capacidade, é considerado o substrato mais ideal para fabricar dispositivos de energia de micro-ondas.

Especificações:

â Diâmetro: 6â³

Polimento duplo

Grau: Produção, Pesquisa, Manequim

4H-SiC HPSI Wafer

Espessura: 500±25 Î¼m

Densidade do microtubo: â¤1 ea/cm²~ ¤15 ea/cm²

Unid	Produção	Pesquisar	Fictício
Parâmetros de cristal
Politipo	4H
Orientação da superfície no eixo	<0001>
Orientação da superfície fora do eixo	0±0,2°
(0004)FWHM	â¤45arcsec	â¤60arcsec	â¤1OOarcsec
Parâmetros elétricos
Tipo	HPSI
Resistividade	≥1 E8ohm·cm	100% área > 1 E5ohm·cm	70% área > 1 E5ohm·cm
Parâmetros Mecânicos
Diâmetro	150±0,2 mm
Grossura	500±25 Î¼m
Orientação plana primária	[1-100]±5° ou entalhe
Comprimento/profundidade do plano primário	47,5±1,5 mm ou 1 - 1,25 mm
TTV	¤5 Î¼m	¤10 Î¼m	¤15 Î¼m
LTV	¤3 Î¼m (5mm*5mm)	¤5 Î¼m (5mm*5mm)	¤10 Î¼m (5mm*5mm)
Arco	-15Î¼m ~ 15Î¼m	-35Î¼m ~ 35Î¼m	-45Î¼m ~ 45Î¼m
Urdidura	¤35 Î¼m	¤45 Î¼m	¤55 Î¼m
Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)	Ra = 0,2 nm (5Î¼m * 5Î¼m)
Estrutura
Densidade do microtubo	â¤1 ea/cm²	â¤10 ea/cm²	â¤15 ea/cm²
Densidade de inclusão de carbono	â¤1 ea/cm²	N / D
vazio hexagonal	Nenhum	N / D
impurezas metálicas	¤5E12átomos/cm²		N / D
Qualidade frontal
Frente	Si
Acabamento de superfície	Si-face CMP
Partículas	â¤60ea/wafer (tamanho¥0,3Î¼m)	N / D
Arranhões	â¤5ea/mm. Comprimento cumulativo â¤Diâmetro	Comprimento cumulativo â¤300mm	N / D
Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação	Nenhum		N / D
Lascas de borda/recuos/fratura/placas sextavadas	Nenhum
Áreas politípicas	Nenhum	Área cumulativa ¤ 20%	Área cumulativa ¤30%
Marcação a laser frontal	Nenhum
Qualidade traseira
Acabamento traseiro	Face C CMP
Arranhões	â¤5ea/mm,Comprimento cumulativoâ¤2*Diâmetro	N / D
Defeitos traseiros (lascas/reentrâncias na borda)	Nenhum
Aspereza nas costas	Ra = 0,2 nm (5Î¼m * 5Î¼m)
Marcação a laser traseira	"SEMI"
Borda
Borda	Chanfro
Embalagem
Embalagem	Pronto para Epi com embalagem a vácuo Embalagem de cassete com vários wafers
*Observações: "NA" significa nenhuma solicitação Itens não mencionados podem se referir a SEMI-STD.