Substrato SiC tipo N de 4 polegadas

A Semicorex fornece vários tipos de pastilhas de SiC 4H e 6H. Somos fabricantes e fornecedores de produtos de carboneto de silício há muitos anos. Nosso substrato SiC tipo N de 4 polegadas tem uma boa vantagem de preço e cobre a maioria dos mercados europeu e americano. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

A Semicorex possui uma linha completa de wafers de carboneto de silício (SiC), incluindo substratos 4H e 6H com wafers tipo N, tipo P e semi-isolantes de alta pureza, podendo ser com ou sem epitaxia. O substrato SiC (carboneto de silício) tipo N de 4 polegadas é um tipo de wafer de alta qualidade feito de um único cristal de carboneto de silício com dopagem tipo N.

O substrato SiC tipo N de 4 polegadas é usado principalmente em veículos de energia nova, transmissão e subestação de alta tensão, linha branca, trens de alta velocidade, motores elétricos, inversores fotovoltaicos, fontes de alimentação pulsadas e outros campos, que têm as vantagens de reduzir equipamentos perda de energia, melhorando a confiabilidade do equipamento, reduzindo o tamanho do equipamento e melhorando o desempenho do equipamento, e tem vantagens insubstituíveis na fabricação de dispositivos eletrônicos de potência.

Unid	Produção	Pesquisar	Fictício
Parâmetros de cristal
Politipo	4H
Erro de orientação da superfície	<11-20 >4±0,15°
Parâmetros elétricos
dopante	Nitrogênio tipo n
Resistividade	0,015-0,025ohm·cm
Parâmetros Mecânicos
Diâmetro	99,5 - 100 mm
Grossura	350±25 Î¼m
Orientação plana primária	[1-100]±5°
Comprimento plano primário	32,5±1,5 mm
Posição plana secundária	90° CW do plano primário ±5°. silício virado para cima
Comprimento plano secundário	18±1,5 mm
TTV	¤5 Î¼m	¤10 Î¼m	¤20 Î¼m
LTV	¤2 Î¼m (5mm*5mm)	¤5 Î¼m (5mm*5mm)	N / D
Arco	-15Î¼m ~ 15Î¼m	-35Î¼m ~ 35Î¼m	-45Î¼m ~ 45Î¼m
Urdidura	¤20 Î¼m	¤45 Î¼m	¤50 Î¼m
Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)	Ra = 0,2 nm (5Î¼m * 5Î¼m)
Estrutura
Densidade do microtubo	â¤1 ea/cm2	â¤5 ea/cm2	â¤10 ea/cm2
impurezas metálicas	¤5E10átomos/cm2		N / D
DBP	â¤1500 ea/cm2	â¤3000 ea/cm2	N / D
TSD	â¤500 ea/cm2	â¤1000 ea/cm2	N / D
Qualidade frontal
Frente	Si
Acabamento de superfície	Si-face CMP
Partículas	â¤60ea/wafer (tamanho¥0,3Î¼m)	N / D
Arranhões	â¤2ea/mm. Comprimento cumulativo â¤Diâmetro	Comprimento cumulativo â¤2*Diâmetro	N / D
Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação	Nenhum		N / D
Lascas de borda/recuos/fratura/placas sextavadas	Nenhum		N / D
Áreas politípicas	Nenhum	Área cumulativa ¤ 20%	Área cumulativa ¤30%
Marcação a laser frontal	Nenhum
Qualidade traseira
Acabamento traseiro	Face C CMP
Arranhões	â¤5ea/mm,Comprimento cumulativoâ¤2*Diâmetro	N / D
Defeitos traseiros (lascas/reentrâncias na borda)	Nenhum
Aspereza nas costas	Ra = 0,2 nm (5Î¼m * 5Î¼m)
Marcação a laser traseira	1 mm (a partir da borda superior)
Borda
Borda	Chanfro
Embalagem
Embalagem	A bolsa interna é preenchida com nitrogênio e a externa é aspirada. Cassete multi-wafer, pronto para epi.
*Observações: "NA" significa nenhuma solicitação Itens não mencionados podem se referir a SEMI-STD.