Substrato SiC tipo N de 4 polegadas

A Semicorex fornece vários tipos de wafers SiC 4H e 6H. Somos fabricantes e fornecedores de produtos de carboneto de silício há muitos anos. Nosso substrato SiC tipo N de 4 polegadas tem uma boa vantagem de preço e cobre a maioria dos mercados europeu e americano. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

A Semicorex possui uma linha completa de produtos de wafer de carboneto de silício (SiC), incluindo substratos 4H e 6H com wafers tipo N, tipo P e semi-isolantes de alta pureza, podendo ser com ou sem epitaxia. O substrato de SiC (carboneto de silício) tipo N de 4 polegadas é um tipo de wafer de alta qualidade feito de um único cristal de carboneto de silício com dopagem tipo N.

O substrato SiC tipo N de 4 polegadas é usado principalmente em veículos de energia nova, transmissão e subestação de alta tensão, produtos da linha branca, trens de alta velocidade, motores elétricos, inversores fotovoltaicos, fontes de alimentação pulsadas e outros campos, que têm as vantagens de reduzir equipamentos perda de energia, melhorando a confiabilidade do equipamento, reduzindo o tamanho do equipamento e melhorando o desempenho do equipamento, e têm vantagens insubstituíveis na fabricação de dispositivos eletrônicos de potência.

Unid	Produção	Pesquisar	Fictício
Parâmetros de Cristal
Politipo	4H
Erro de orientação de superfície	<11-20 >4±0,15°
Parâmetros Elétricos
Dopante	Nitrogênio tipo n
Resistividade	0,015-0,025ohm·cm
Parâmetros Mecânicos
Diâmetro	99,5 - 100 mm
Grossura	350±25 μm
Orientação plana primária	[1-100]±5°
Comprimento plano primário	32,5±1,5 mm
Posição plana secundária	90° CW do plano primário ±5°. silício virado para cima
Comprimento plano secundário	18±1,5 mm
TTV	≤5 μm	≤10 μm	≤20 μm
LTV	≤2 μm(5mm*5mm)	≤5 μm(5mm*5mm)	QUE
Arco	-15μm ~ 15μm	-35μm ~ 35μm	-45μm ~ 45μm
Urdidura	≤20 μm	≤45 μm	≤50 μm
Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)	Ra≤0,2nm (5μm*5μm)
Estrutura
Densidade de microtubos	≤1 ea/cm2	≤5 ea/cm2	≤10 ea/cm2
Impurezas metálicas	≤5E10átomos/cm2		QUE
DBP	≤1500 ea/cm2	≤3000 ea/cm2	QUE
TSD	≤500 ea/cm2	≤1000 ea/cm2	QUE
Qualidade frontal
Frente	E
Acabamento de superfície	CMP de face Si
Partículas	≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm)	QUE
Arranhões	≤2ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro	Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro	QUE
Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação	Nenhum		QUE
Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas	Nenhum		QUE
Áreas politípicas	Nenhum	Área acumulada≤20%	Área acumulada≤30%
Marcação a laser frontal	Nenhum
Qualidade traseira
Acabamento traseiro	CMP face C
Arranhões	≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro	QUE
Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas)	Nenhum
Rugosidade nas costas	Ra≤0,2nm (5μm*5μm)
Marcação a laser traseira	1 mm (da borda superior)
Borda
Borda	Chanfro
Embalagem
Embalagem	O saco interno é preenchido com nitrogênio e o saco externo é aspirado. Cassete multi-wafer, pronto para epi.
*Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD.