Os atuais semicondutores de terceira geração são baseados principalmente em carboneto de silício, com substratos representando 47% dos custos dos dispositivos, e epitaxia representando 23%, totalizando aproximadamente 70% e formando a parte mais importante da indústria de fabricação de dispositivos ......
consulte Mais informaçãoA cerâmica de carboneto de silício oferece inúmeras vantagens na indústria de fibra óptica, incluindo estabilidade em altas temperaturas, baixo coeficiente de expansão térmica, baixo limite de perdas e danos, resistência mecânica, resistência à corrosão, boa condutividade térmica e baixa constante d......
consulte Mais informaçãoA história do carboneto de silício (SiC) remonta a 1891, quando Edward Goodrich Acheson o descobriu acidentalmente enquanto tentava sintetizar diamantes artificiais. Acheson aqueceu uma mistura de argila (aluminossilicato) e coque em pó (carbono) em um forno elétrico. Em vez dos esperados diamantes,......
consulte Mais informaçãoO crescimento de cristais é o elo principal na produção de substratos de carboneto de silício, e o equipamento principal é o forno de crescimento de cristais. Semelhante aos tradicionais fornos de crescimento de cristal de grau de silício cristalino, a estrutura do forno não é muito complexa e consi......
consulte Mais informaçãoOs materiais semicondutores de banda larga de terceira geração, como nitreto de gálio (GaN) e carboneto de silício (SiC), são conhecidos por suas excepcionais capacidades de conversão optoeletrônica e transmissão de sinal de micro-ondas. Esses materiais atendem aos exigentes requisitos de dispositiv......
consulte Mais informaçãoUm barco SiC, abreviação de barco de carboneto de silício, é um acessório resistente a altas temperaturas usado em tubos de forno para transportar wafers durante o processamento em alta temperatura. Devido às excelentes propriedades do carboneto de silício, como resistência a altas temperaturas, cor......
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