O crescimento de cristais é o elo principal na produção de substratos de carboneto de silício, e o equipamento principal é o forno de crescimento de cristais. Semelhante aos tradicionais fornos de crescimento de cristal de grau de silício cristalino, a estrutura do forno não é muito complexa e consi......
consulte Mais informaçãoOs materiais semicondutores de banda larga de terceira geração, como nitreto de gálio (GaN) e carboneto de silício (SiC), são conhecidos por suas excepcionais capacidades de conversão optoeletrônica e transmissão de sinal de micro-ondas. Esses materiais atendem aos exigentes requisitos de dispositiv......
consulte Mais informaçãoUm barco SiC, abreviação de barco de carboneto de silício, é um acessório resistente a altas temperaturas usado em tubos de forno para transportar wafers durante o processamento em alta temperatura. Devido às excelentes propriedades do carboneto de silício, como resistência a altas temperaturas, cor......
consulte Mais informaçãoAtualmente, a maioria dos fabricantes de substrato de SiC usa um novo projeto de processo de campo térmico de cadinho com cilindros de grafite poroso: colocando matérias-primas de partículas de SiC de alta pureza entre a parede do cadinho de grafite e o cilindro de grafite poroso, enquanto aprofunda......
consulte Mais informaçãoA Deposição Química de Vapor (CVD) refere-se a uma tecnologia de processo onde múltiplos reagentes gasosos em pressões parciais variadas sofrem uma reação química sob condições específicas de temperatura e pressão. A substância sólida resultante deposita-se na superfície do material do substrato, ob......
consulte Mais informaçãoNos campos da eletrônica moderna, da optoeletrônica, da microeletrônica e da tecnologia da informação, os substratos semicondutores e as tecnologias epitaxiais são indispensáveis. Eles fornecem uma base sólida para a fabricação de dispositivos semicondutores de alto desempenho e alta confiabilidade.......
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