O carboneto de silício (SiC) é um material que possui alta energia de ligação, semelhante a outros materiais duros como diamante e nitreto cúbico de boro. No entanto, a alta energia de ligação do SiC torna difícil a cristalização direta em lingotes através de métodos tradicionais de fusão. Portanto,......
consulte Mais informaçãoOs materiais semicondutores podem ser divididos em três gerações de acordo com a sequência temporal. A primeira geração de germânio, silício e outros monomateriais comuns, caracterizada por comutação conveniente, geralmente utilizada em circuitos integrados. A segunda geração de arsenieto de gálio, ......
consulte Mais informaçãoÀ medida que o mundo procura novas oportunidades em semicondutores, o nitreto de gálio continua a destacar-se como um potencial candidato para futuras aplicações de energia e RF. Contudo, apesar de todos os benefícios que oferece, ainda enfrenta um grande desafio; não existem produtos do tipo P (tip......
consulte Mais informaçãoO óxido de gálio (Ga2O3) surgiu como um material promissor para diversas aplicações, particularmente em dispositivos de energia e dispositivos de radiofrequência (RF). Neste artigo, exploramos as principais oportunidades e mercados-alvo para o óxido de gálio nesses domínios.
consulte Mais informaçãoO óxido de gálio (Ga2O3) como um material "semicondutor de bandgap ultralargo" tem atraído atenção constante. Os semicondutores de bandgap ultralargo se enquadram na categoria de "semicondutores de quarta geração" e, em comparação com semicondutores de terceira geração, como carboneto de silício (Si......
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