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Notícias da Empresa
Wafers epitaxiais de nitreto de gálio: uma introdução ao processo de fabricação
O crescimento do wafer epitaxial de nitreto de gálio (GaN) é um processo complexo, geralmente utilizando um método de duas etapas. Este método envolve vários estágios críticos, incluindo cozimento em alta temperatura, crescimento da camada tampão, recristalização e recozimento. Ao controlar meticulo......
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Qual é a diferença entre wafers epitaxiais e difusos
Tanto os wafers epitaxiais quanto os difusos são materiais essenciais na fabricação de semicondutores, mas diferem significativamente em seus processos de fabricação e aplicações alvo. Este artigo investiga as principais distinções entre esses tipos de wafer.
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Quais são os prós e contras da gravação a seco e da gravação a úmido?
A gravação é um processo essencial na fabricação de semicondutores. Este processo pode ser categorizado em dois tipos: ataque a seco e ataque a úmido. Cada técnica tem suas vantagens e limitações, sendo crucial compreender as diferenças entre elas. Então, como você escolhe o melhor método de gravaçã......
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Material central para crescimento de SiC: revestimento de carboneto de tântalo
Os atuais semicondutores de terceira geração são baseados principalmente em carboneto de silício, com substratos representando 47% dos custos dos dispositivos, e epitaxia representando 23%, totalizando aproximadamente 70% e formando a parte mais importante da indústria de fabricação de dispositivos ......
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Vantagens da cerâmica de carboneto de silício na indústria de fibra óptica
A cerâmica de carboneto de silício oferece inúmeras vantagens na indústria de fibra óptica, incluindo estabilidade em altas temperaturas, baixo coeficiente de expansão térmica, baixo limite de perdas e danos, resistência mecânica, resistência à corrosão, boa condutividade térmica e baixa constante d......
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Uma breve história do carboneto de silício e aplicações de revestimentos de carboneto de silício
A história do carboneto de silício (SiC) remonta a 1891, quando Edward Goodrich Acheson o descobriu acidentalmente enquanto tentava sintetizar diamantes artificiais. Acheson aqueceu uma mistura de argila (aluminossilicato) e coque em pó (carbono) em um forno elétrico. Em vez dos esperados diamantes,......
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