Portador de Wafers Epitaxial GaN-on-SiC

A Semicorex é um fabricante independente líder de grafite revestido de carboneto de silício, grafite de alta pureza usinado com precisão, com foco nas áreas de grafite revestido de carboneto de silício, cerâmica de carboneto de silício e MOCVP de fabricação de semicondutores. Nosso transportador de wafers epitaxial GaN-on-SiC tem uma boa vantagem de preço e cobre muitos dos mercados europeu e americano. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

Semicorex SiC Revestimento de GaN-sobre-SiC Epitaxial Wafers Carrier é um revestimento de carboneto de silício (SiC) denso e resistente ao desgaste. Possui altas propriedades de resistência à corrosão e ao calor, bem como excelente condutividade térmica. Aplicamos SiC em camadas finas sobre o grafite usando o processo de deposição química de vapor (CVD).
Nosso transportador de wafers epitaxial GaN-on-SiC foi projetado para alcançar o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo a uniformidade do perfil térmico. Isso ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.
Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso transportador de wafers epitaxial GaN-on-SiC.

Parâmetros do transportador de wafers epitaxiais de GaN-on-SiC

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades do SiC-CVD
Estrutura de cristal	FCC fase β
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	Î¼m	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (dobra de 4pt, 1300â)	430
Expansão Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do transportador de wafers epitaxial GaN-on-SiC

- Evite descascar e assegure o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feito por deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir a uniformidade do perfil térmico
- Prevenir qualquer contaminação ou difusão de impurezas