Transportador de wafers epitaxiais GaN-on-SiC

Semicorex é um fabricante independente líder de grafite revestido com carboneto de silício, grafite usinado com precisão de alta pureza com foco nas áreas de grafite revestido com carboneto de silício, cerâmica de carboneto de silício e MOCVP de fabricação de semicondutores. Nosso transportador de wafers epitaxiais GaN-on-SiC tem uma boa vantagem de preço e cobre muitos dos mercados europeus e americanos. Esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo na China.

Enviar consulta

Descrição do produto

O revestimento Semicorex SiC de GaN-on-SiC Epitaxial Wafers Carrier é um revestimento denso e resistente ao desgaste de carboneto de silício (SiC). Possui altas propriedades de resistência à corrosão e ao calor, bem como excelente condutividade térmica. Aplicamos SiC em camadas finas sobre o grafite usando o processo de deposição química de vapor (CVD).
Nosso transportador de wafers epitaxiais GaN-on-SiC foi projetado para atingir o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo uniformidade do perfil térmico. Isto ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo um crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.
Contate-nos hoje para saber mais sobre nosso transportador de wafers epitaxiais GaN-on-SiC.

Parâmetros do transportador de wafers epitaxiais GaN-on-SiC

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J kg-1 K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do transportador de wafers epitaxiais GaN-on-SiC

-Evite descascar e garanta o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feita por deposição química de vapor CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir uniformidade do perfil térmico
- Evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas