Receptor SiC Epi-Wafer
  • Receptor SiC Epi-WaferReceptor SiC Epi-Wafer
  • Receptor SiC Epi-WaferReceptor SiC Epi-Wafer
  • Receptor SiC Epi-WaferReceptor SiC Epi-Wafer
  • Receptor SiC Epi-WaferReceptor SiC Epi-Wafer
  • Receptor SiC Epi-WaferReceptor SiC Epi-Wafer

Receptor SiC Epi-Wafer

Semicorex é um fabricante e fornecedor em grande escala de Susceptor de grafite revestido com carboneto de silício na China. Nós nos concentramos em indústrias de semicondutores, como camadas de carboneto de silício e semicondutores epitaxiais. Nosso Susceptor SiC Epi-Wafer tem uma boa vantagem de preço e cobre muitos dos mercados europeus e americanos. Estamos ansiosos para nos tornar seu parceiro de longo prazo.

Enviar consulta

Descrição do produto

A Semicorex fornece SiC Epi-Wafer Susceptor revestido por MOCVD usado para suportar wafers. Sua construção de grafite revestida com carboneto de silício (SiC) de alta pureza oferece resistência superior ao calor, uniformidade térmica uniforme para espessura e resistência consistentes da camada epi e resistência química durável. O revestimento fino de cristal SiC fornece uma superfície limpa e lisa, crítica para o manuseio, uma vez que os wafers imaculados entram em contato com o susceptor em muitos pontos em toda a sua área.
Nosso Susceptor SiC Epi-Wafer foi projetado para atingir o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo uniformidade do perfil térmico. Isto ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo um crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.
Contate-nos hoje para saber mais sobre nosso SiC Epi-Wafer Susceptor.


Parâmetros do Susceptor SiC Epi-Wafer

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades SiC-CVD

Estrutura Cristalina

Fase β do FCC

Densidade

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamanho do grão

μm

2~10

Pureza Química

%

99.99995

Capacidade de calor

J kg-1 K-1

640

Temperatura de sublimação

2700

Força Felexural

MPa (TR 4 pontos)

415

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)

430

Expansão Térmica (CTE)

10-6K-1

4.5

Condutividade térmica

(W/mK)

300


Características do SiC Epi-Wafer Susceptor

Grafite revestida com SiC de alta pureza
Resistência térmica superior e uniformidade térmica
Cristal fino de SiC revestido para uma superfície lisa
Alta durabilidade contra limpeza química
O material é projetado para que não ocorram rachaduras e delaminação.




Hot Tags: Susceptor SiC Epi-Wafer, China, fabricantes, fornecedores, fábrica, personalizado, em massa, avançado, durável
Categoria Relacionada
Enviar consulta
Por favor, sinta-se livre para dar o seu inquérito no formulário abaixo. Responderemos em 24 horas.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept