Bandeja de Wafer

A Semicorex fornece cerâmica de grau semicondutor para suas ferramentas de semicondutores OEM e componentes de manuseio de wafer com foco em camadas de carboneto de silício em indústrias de semicondutores. Há muitos anos que somos fabricantes e fornecedores de Bandeja para Wafer Carrier. Nosso Wafer Carrier Tray tem uma boa vantagem de preço e cobre a maioria dos mercados europeu e americano. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

Não apenas para fases de deposição de filmes finos, como epitaxia ou MOCVD, ou processamento de manuseio de wafer, a Semicorex fornece suporte de cerâmica ultrapura usado para suportar wafers. No centro do processo, a bandeja transportadora de wafer para o MOCVD é primeiro submetida ao ambiente de deposição, por isso tem alta resistência ao calor e à corrosão. O suporte revestido de SiC também possui alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.
Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nossa bandeja de transporte de wafer.

Parâmetros da Bandeja de Transporte de Wafer

Propriedades Técnicas
Índice	Unidade	Valor
Nome do material		Reação de carboneto de silício sinterizado	Carboneto de Silício Sinterizado Sem Pressão	Carboneto de Silício Recristalizado
Composição		RBSiC	SSiC	R-SiC
Densidade aparente	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Resistência à flexão	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C)90-100(1400°C)
Força compressiva	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Dureza	Knoop	2700	2800	/
Quebrando Tenacidade	MPa m1/2	4.5	4	/
Condutividade térmica	W/m.k	95	120	23
Coeficiente de expansão térmica	10^-60,1/°C	5	4	4.7
Calor específico	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Temperatura máxima no ar	℃	1200	1500	1600
Módulo Elástico	Gpa	360	410	240

A diferença entre SSiC e RBSiC:

1. O processo de sinterização é diferente. RBSiC é para infiltrar Si livre em carboneto de silício a baixa temperatura, SSiC é formado por encolhimento natural a 2100 graus.

2. SSiC tem superfície mais lisa, maior densidade e maior resistência, para algumas vedações com requisitos de superfície mais rígidos, SSiC será melhor.

3. Tempo de uso diferente sob PH e temperatura diferentes, SSiC é mais longo que RBSiC

Características da bandeja de transporte de wafer

- Revestimentos de carboneto de silício CVD para melhorar a vida útil.
- Isolamento térmico em carbono rígido purificado de alto desempenho.
- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.
- Grafite de alta pureza e revestimento de SiC para resistência a furos e maior vida útil

Formas disponíveis de cerâmica de carboneto de silícioï¼

Haste de cerâmica / pino de cerâmica / êmbolo de cerâmica

Tubo de cerâmica / bucha de cerâmica / luva de cerâmica

Anel de cerâmica / arruela de cerâmica / espaçador de cerâmica

Disco de cerâmica

Placa de cerâmica / bloco de cerâmica

Bola de cerâmica

Pistão de cerâmica

Bocal de cerâmica

Cadinho de cerâmica

â Outras peças de cerâmica personalizadas