Tampa da câmara de carboneto de silício

A tampa da câmara de carboneto de silício usada no crescimento de cristais e no processamento de wafer deve suportar altas temperaturas e limpeza química severa. Semicorex é um fabricante e fornecedor em larga escala de Susceptor de Grafite Revestido de Carbeto de Silício na China. Nossos produtos têm uma boa vantagem de preço e cobrem muitos dos mercados europeu e americano. Estamos ansiosos para se tornar seu parceiro de longo prazo.

Enviar consulta

Descrição do produto

A tampa da câmara de carboneto de silício usada no crescimento de cristal único ou MOCVD, ou processamento de manuseio de wafer deve suportar altas temperaturas e limpeza química severa. A Semicorex fornece construção de grafite revestida de carboneto de silício (SiC) de alta pureza que oferece resistência superior ao calor, uniformidade térmica uniforme para espessura e resistência consistentes da camada epi e resistência química durável. Eles são duráveis para experimentar uma combinação de gases precursores voláteis, plasma e alta temperatura.
Nossa tampa da câmara de carboneto de silício foi projetada para obter o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo a uniformidade do perfil térmico. Isso ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.
Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nossa tampa de câmara de carboneto de silício.

Parâmetros da tampa da câmara de carboneto de silício

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades do SiC-CVD
Estrutura de cristal	FCC fase β
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	¼m	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (dobra de 4pt, 1300â)	430
Expansão Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300