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Tampa da câmara de carboneto de silício

A tampa da câmara de carboneto de silício usada no processamento de crescimento de cristais e manuseio de wafer deve suportar altas temperaturas e limpeza química severa. Semicorex é um fabricante e fornecedor em grande escala de Susceptor de grafite revestido com carboneto de silício na China. Nossos produtos têm uma boa vantagem de preço e cobrem muitos mercados europeus e americanos. Estamos ansiosos para nos tornar seu parceiro de longo prazo.

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Descrição do produto

A tampa da câmara de carboneto de silício usada no crescimento de cristal único ou MOCVD, ou processamento de manuseio de wafer deve suportar altas temperaturas e limpeza química severa. A Semicorex fornece construção de grafite revestida com carboneto de silício (SiC) de alta pureza que oferece resistência superior ao calor, uniformidade térmica uniforme para espessura e resistência consistentes da camada epi e resistência química durável. Eles são duráveis para suportar uma combinação de gases precursores voláteis, plasma e alta temperatura.
Nossa tampa de câmara de carboneto de silício foi projetada para atingir o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo uniformidade do perfil térmico. Isto ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo um crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.
Contate-nos hoje para saber mais sobre nossa tampa de câmara de carboneto de silício.

Parâmetros da tampa da câmara de carboneto de silício

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J kg-1 K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300