Susceptores de base de grafite revestidos com SiC para MOCVD

Nossos susceptores de base de grafite revestidos com SiC para MOCVD têm alta resistência ao calor e à corrosão que garantem grande estabilidade mesmo em ambientes extremos.
Os recursos destes susceptores de base de grafite revestidos com SiC para MOCVD são excelentes. É feito com um revestimento de carboneto de silício de alta pureza em grafite, o que o torna altamente resistente à oxidação em altas temperaturas de até 1600°C. O processo de deposição de vapor químico CVD usado em sua fabricação garante alta pureza e excelente resistência à corrosão. A superfície do carreador é densa, com partículas finas que aumentam sua resistência à corrosão, tornando-o resistente a ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
Nossos susceptores de base de grafite revestidos com SiC para MOCVD garantem um perfil térmico uniforme, garantindo o melhor padrão de fluxo de gás laminar. Ele evita que qualquer contaminação ou impurezas se difundam no wafer, tornando-o ideal para uso em ambientes de sala limpa. Semicorex é um fabricante e fornecedor em grande escala de susceptor de grafite revestido de SiC na China, e nossos produtos têm uma boa vantagem de preço. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na indústria de semicondutores.

Parâmetros de susceptores de base de grafite revestidos com SiC para MOCVD

Características do susceptor de grafite revestido com SiC para MOCVD

- Evite descascar e assegure o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feito por deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir a uniformidade do perfil térmico
- Prevenir qualquer contaminação ou difusão de impurezas