Susceptores de base de grafite revestidos de SiC para MOCVD

Nossos susceptores de base de grafite revestidos de SiC para MOCVD possuem alta resistência ao calor e à corrosão que garantem grande estabilidade mesmo em ambientes extremos.
As características destes susceptores de base de grafite revestidos de SiC para MOCVD são excelentes. É fabricado com revestimento de carboneto de silício de alta pureza sobre grafite, o que o torna altamente resistente à oxidação em altas temperaturas de até 1600°C. O processo de deposição química de vapor CVD utilizado em sua fabricação garante alta pureza e excelente resistência à corrosão. A superfície do transportador é densa, com partículas finas que aumentam sua resistência à corrosão, tornando-o resistente a ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
Nossos susceptores de base de grafite revestidos com SiC para MOCVD garantem um perfil térmico uniforme, garantindo o melhor padrão de fluxo de gás laminar. Impede que qualquer contaminação ou impurezas se difundam no wafer, tornando-o ideal para uso em ambientes de salas limpas. Semicorex é um fabricante e fornecedor em grande escala de susceptor de grafite revestido de SiC na China, e nossos produtos têm uma boa vantagem de preço. Esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo na indústria de semicondutores.

Parâmetros de susceptores de base de grafite revestidos de SiC para MOCVD

Características do susceptor de grafite revestido de SiC para MOCVD

-Evite descascar e garanta o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feita por deposição química de vapor CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir uniformidade do perfil térmico
- Evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas