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Susceptor de grafite com revestimento de carboneto de silício para MOCVD

Semicorex é um fornecedor e fabricante confiável de susceptor de grafite com revestimento de carboneto de silício para MOCVD. Nosso produto é especialmente projetado para atender às necessidades da indústria de semicondutores no crescimento da camada epitaxial no chip wafer. O produto é utilizado como placa central em MOCVD, com design em forma de engrenagem ou anel. Possui alta resistência ao calor e à corrosão, tornando-o ideal para uso em ambientes extremos.

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Descrição do produto

Nosso susceptor de grafite com revestimento de carboneto de silício para MOCVD possui vários recursos importantes que o destacam da concorrência. Garante revestimento em toda a superfície, evitando o descascamento, e possui resistência à oxidação em altas temperaturas, garantindo estabilidade mesmo em altas temperaturas de até 1600°C. O produto é feito com alta pureza através da deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura. Possui uma superfície densa com partículas finas, tornando-o altamente resistente à corrosão por ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
Nosso susceptor de grafite com revestimento de carboneto de silício para MOCVD é projetado para alcançar o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo a uniformidade do perfil térmico. Evita qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.

Parâmetros do susceptor de grafite de revestimento de carboneto de silício para MOCVD

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura de cristal	FCC fase β
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	¼m	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (dobra de 4pt, 1300â)	430
Expansão Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do susceptor de grafite com revestimento de carboneto de silício para MOCVD

- Evite descascar e assegure o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feito por deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir a uniformidade do perfil térmico
- Prevenir qualquer contaminação ou difusão de impurezas

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