Susceptor de grafite com revestimento de carboneto de silício para MOCVD

Nosso susceptor de grafite com revestimento de carboneto de silício para MOCVD possui vários recursos importantes que o diferenciam da concorrência. Garante revestimento em toda a superfície, evitando descascamento, e possui resistência à oxidação em altas temperaturas, garantindo estabilidade mesmo em altas temperaturas de até 1600°C. O produto é feito com alta pureza por meio de deposição química de vapor CVD sob condições de cloração em alta temperatura. Possui superfície densa com partículas finas, o que o torna altamente resistente à corrosão por ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
Nosso susceptor de grafite com revestimento de carboneto de silício para MOCVD foi projetado para atingir o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo uniformidade do perfil térmico. Evita qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.

Parâmetros do susceptor de grafite com revestimento de carboneto de silício para MOCVD

Características do susceptor de grafite com revestimento de carboneto de silício para MOCVD

-Evite descascar e garanta o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feita por deposição química de vapor CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir uniformidade do perfil térmico
- Evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas