Susceptor MOCVD revestido com SiC

Semicorex é um fabricante e fornecedor líder de susceptor MOCVD revestido com SiC. Nosso produto é especialmente projetado para indústrias de semicondutores para aumentar a camada epitaxial no chip wafer. O suporte de grafite revestido de carboneto de silício de alta pureza é usado como a placa central em MOCVD, com uma engrenagem ou design em forma de anel. Nosso susceptor é amplamente utilizado em equipamentos MOCVD, garantindo alta resistência ao calor e à corrosão, além de grande estabilidade em ambientes extremos.

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Descrição do produto

Uma das características mais significativas do nosso susceptor MOCVD revestido com SiC é que ele garante o revestimento em toda a superfície, evitando o descascamento. O produto tem resistência à oxidação em alta temperatura, que é estável em altas temperaturas de até 1600°C. A alta pureza é alcançada usando a deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura. O produto tem uma superfície densa com partículas finas, tornando-o altamente resistente à corrosão de ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
Nosso susceptor MOCVD revestido com SiC garante o melhor padrão de fluxo de gás laminar, o que garante a uniformidade do perfil térmico. Isso ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer. A Semicorex oferece uma vantagem de preço competitiva e cobre muitos dos mercados europeus e americanos. Nossa equipe se dedica a fornecer excelente atendimento e suporte ao cliente. Estamos empenhados em nos tornar seu parceiro de longo prazo, fornecendo produtos confiáveis e de alta qualidade para ajudar seu negócio a crescer.

Parâmetros do susceptor MOCVD revestido com SiC

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura de cristal	FCC fase β
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	Î¼m	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (dobra de 4pt, 1300â)	430
Expansão Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do susceptor MOCVD revestido com SiC

- Evite descascar e assegure o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feito por deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir a uniformidade do perfil térmico
- Prevenir qualquer contaminação ou difusão de impurezas