Susceptor MOCVD revestido de SiC

Semicorex é um fabricante e fornecedor líder de susceptor MOCVD revestido de SiC. Nosso produto é especialmente projetado para indústrias de semicondutores para aumentar a camada epitaxial no chip wafer. O suporte de grafite revestido com carboneto de silício de alta pureza é usado como placa central no MOCVD, com um design em forma de engrenagem ou anel. Nosso susceptor é amplamente utilizado em equipamentos MOCVD, garantindo alta resistência ao calor e à corrosão, além de grande estabilidade em ambientes extremos.

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Descrição do produto

Uma das características mais significativas do nosso Susceptor MOCVD revestido com SiC é que ele garante o revestimento em todas as superfícies, evitando o descascamento. O produto possui resistência à oxidação em altas temperaturas, que é estável em altas temperaturas de até 1600°C. A alta pureza é alcançada usando a deposição química de vapor CVD sob condições de cloração em alta temperatura. O produto possui superfície densa com partículas finas, o que o torna altamente resistente à corrosão por ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
Nosso susceptor MOCVD revestido com SiC garante o melhor padrão de fluxo de gás laminar, o que garante uniformidade do perfil térmico. Isto ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo um crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer. A Semicorex oferece uma vantagem de preço competitivo e cobre muitos mercados europeus e americanos. Nossa equipe se dedica a fornecer excelente atendimento e suporte ao cliente. Temos o compromisso de nos tornar seu parceiro de longo prazo, fornecendo produtos confiáveis e de alta qualidade para ajudar seu negócio a crescer.

Parâmetros do susceptor MOCVD revestido de SiC

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J kg-1 K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do susceptor MOCVD revestido com SiC

-Evite descascar e garanta o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feita por deposição química de vapor CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir uniformidade do perfil térmico
- Evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas