MOCVD Cover Star Disc Plate para Wafer Epitaxy

Semicorex é um fabricante e fornecedor renomado de placas de disco em estrela MOCVD de alta qualidade para epitaxia de wafer. Nosso produto é especialmente projetado para atender às necessidades da indústria de semicondutores, particularmente no crescimento da camada epitaxial no chip wafer. Nosso susceptor é usado como placa central em MOCVD, com um design em forma de anel ou engrenagem. O produto é altamente resistente ao alto calor e à corrosão, tornando-o ideal para uso em ambientes extremos.

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Descrição do produto

Nossa placa MOCVD Cover Star Disc para Wafer Epitaxy é um excelente produto que garante o revestimento em toda a superfície, evitando assim o descascamento. Possui uma resistência à oxidação em altas temperaturas que garante estabilidade mesmo em altas temperaturas de até 1600°C. O produto é feito com alta pureza através da deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura. Possui uma superfície densa com partículas finas, tornando-o altamente resistente à corrosão por ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
Nossa placa MOCVD Cover Star Disc para Wafer Epitaxy garante o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo a uniformidade do perfil térmico. Evita qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer. Nosso produto tem preços competitivos, tornando-o acessível a muitos clientes. Cobrimos muitos dos mercados europeu e americano, e nossa equipe se dedica a fornecer excelente atendimento e suporte ao cliente. Nós nos esforçamos para nos tornar seu parceiro de longo prazo no fornecimento de placa de disco estrela MOCVD de alta qualidade e confiável para Wafer Epitaxy.

Parâmetros da Placa de Disco Estrela de Cobertura MOCVD para Epitaxia de Wafer

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura de cristal	FCC fase β
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	¼m	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (dobra de 4pt, 1300â)	430
Expansão Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características da placa de disco em estrela de cobertura MOCVD para epitaxia de wafer

-Evite descascar e garantir o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feito por deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir a uniformidade do perfil térmico
- Prevenir qualquer contaminação ou difusão de impurezas