Semicorex é um renomado fabricante e fornecedor de placa de disco estrela de cobertura MOCVD de alta qualidade para epitaxia de wafer. Nosso produto foi especialmente projetado para atender às necessidades da indústria de semicondutores, principalmente no crescimento da camada epitaxial no chip wafer. Nosso susceptor é usado como placa central no MOCVD, com design em forma de engrenagem ou anel. O produto é altamente resistente a altas temperaturas e corrosão, tornando-o ideal para uso em ambientes extremos.
Nossa placa MOCVD Cover Star Disc para Wafer Epitaxy é um excelente produto que garante revestimento em toda a superfície, evitando assim o descascamento. Possui uma resistência à oxidação em altas temperaturas que garante estabilidade mesmo em altas temperaturas de até 1600°C. O produto é feito com alta pureza por meio de deposição química de vapor CVD sob condições de cloração em alta temperatura. Possui superfície densa com partículas finas, o que o torna altamente resistente à corrosão por ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
Nossa placa de disco estrela de cobertura MOCVD para Wafer Epitaxy garante o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo uniformidade do perfil térmico. Evita qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer. Nosso produto tem um preço competitivo, tornando-o acessível a muitos clientes. Cobrimos muitos mercados europeus e americanos e nossa equipe se dedica a fornecer excelente atendimento e suporte ao cliente. Nós nos esforçamos para nos tornar seu parceiro de longo prazo no fornecimento de placa de disco estrela MOCVD de alta qualidade e confiável para Wafer Epitaxy.
Parâmetros da placa de disco estrela de cobertura MOCVD para Wafer Epitaxy
Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
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Propriedades SiC-CVD |
||
Estrutura Cristalina |
Fase β do FCC |
|
Densidade |
g/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamanho do grão |
μm |
2~10 |
Pureza Química |
% |
99.99995 |
Capacidade de calor |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura de Sublimação |
℃ |
2700 |
Força Felexural |
MPa (TR 4 pontos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C) |
430 |
Expansão Térmica (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Características da placa de disco estrela de cobertura MOCVD para Wafer Epitaxy
-Evite descascar e garanta o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feita por deposição química de vapor CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir uniformidade do perfil térmico
- Evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas