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Susceptor MOCVD para crescimento epitaxial

Susceptor MOCVD para crescimento epitaxial

Semicorex é um fornecedor e fabricante líder de susceptor MOCVD para crescimento epitaxial. Nosso produto é amplamente utilizado nas indústrias de semicondutores, principalmente no crescimento da camada epitaxial do chip wafer. Nosso susceptor foi projetado para ser usado como placa central no MOCVD, com design em forma de engrenagem ou anel. O produto possui alta resistência ao calor e à corrosão, tornando-o estável em ambientes extremos.

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Descrição do produto

Uma das vantagens do nosso Susceptor MOCVD para Crescimento Epitaxial é a sua capacidade de garantir o revestimento em toda a superfície, evitando o descascamento. O produto possui resistência à oxidação em altas temperaturas, o que garante estabilidade em altas temperaturas de até 1600°C. A alta pureza do nosso produto é alcançada através da deposição química de vapor CVD sob condições de cloração em alta temperatura. A superfície densa com partículas finas garante que o produto seja altamente resistente à corrosão por ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
Nosso susceptor MOCVD para crescimento epitaxial foi projetado para atingir o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo uniformidade do perfil térmico. Isto ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo um crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.
Contate-nos hoje para saber mais sobre nosso susceptor MOCVD para crescimento epitaxial.


Parâmetros do susceptor MOCVD para crescimento epitaxial

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades SiC-CVD

Estrutura Cristalina

Fase β do FCC

Densidade

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamanho do grão

μm

2~10

Pureza Química

%

99.99995

Capacidade de calor

J kg-1 K-1

640

Temperatura de Sublimação

2700

Força Felexural

MPa (TR 4 pontos)

415

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)

430

Expansão Térmica (CTE)

10-6K-1

4.5

Condutividade térmica

(W/mK)

300


Características do susceptor MOCVD para crescimento epitaxial

-Evite descascar e garanta o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feita por deposição química de vapor CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir uniformidade do perfil térmico
- Evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas




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