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Susceptor de MOCVD para crescimento epitaxial

Susceptor de MOCVD para crescimento epitaxial

Semicorex é um fornecedor e fabricante líder de Susceptor MOCVD para Crescimento Epitaxial. Nosso produto é amplamente utilizado nas indústrias de semicondutores, particularmente no crescimento da camada epitaxial no chip wafer. Nosso susceptor é projetado para ser usado como placa central em MOCVD, com um design em forma de anel ou engrenagem. O produto possui alta resistência ao calor e à corrosão, tornando-o estável em ambientes extremos.

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Descrição do produto

Uma das vantagens do nosso susceptor MOCVD para crescimento epitaxial é a capacidade de garantir o revestimento em toda a superfície, evitando o descascamento. O produto possui resistência à oxidação em altas temperaturas, o que garante estabilidade em altas temperaturas de até 1600°C. A alta pureza do nosso produto é alcançada através da deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura. A superfície densa com partículas finas garante que o produto seja altamente resistente à corrosão de ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
Nosso susceptor MOCVD para crescimento epitaxial é projetado para alcançar o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo a uniformidade do perfil térmico. Isso ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.
Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso susceptor MOCVD para crescimento epitaxial.


Parâmetros do susceptor MOCVD para crescimento epitaxial

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades do SiC-CVD

Estrutura de cristal

FCC fase β

Densidade

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamanho de grão

μm

2~10

Pureza Química

%

99.99995

Capacidade de calor

J·kg-1 ·K-1

640

Temperatura de sublimação

2700

Força Felexural

MPa (RT 4 pontos)

415

Módulo de Young

Gpa (dobra de 4pt, 1300â)

430

Expansão Térmica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Condutividade térmica

(W/mK)

300


Características do susceptor MOCVD para crescimento epitaxial

- Evite descascar e assegure o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feito por deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir a uniformidade do perfil térmico
- Prevenir qualquer contaminação ou difusão de impurezas




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