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Plataforma de satélite de grafite MOCVD revestida com SiC

Plataforma de satélite de grafite MOCVD revestida com SiC

Semicorex é um fornecedor e fabricante confiável de plataforma de satélite de grafite MOCVD revestida com SiC. Nosso produto foi especialmente projetado para atender às necessidades da indústria de semicondutores no crescimento da camada epitaxial no chip wafer. O produto é utilizado como placa central no MOCVD, com desenho em formato de engrenagem ou anel. Possui alta resistência ao calor e à corrosão, tornando-o ideal para uso em ambientes extremos.

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Descrição do produto

Uma das características mais significativas de nossa plataforma de satélite de grafite MOCVD revestida com SiC é sua capacidade de garantir o revestimento em todas as superfícies, evitando o descascamento. Possui resistência à oxidação em altas temperaturas, garantindo estabilidade mesmo em altas temperaturas de até 1600°C. O produto é feito com alta pureza por meio de deposição química de vapor CVD sob condições de cloração em alta temperatura. Possui superfície densa com partículas finas, o que o torna altamente resistente à corrosão por ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
Nossa plataforma de satélite de grafite MOCVD revestida com SiC foi projetada para garantir o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo uniformidade do perfil térmico. Evita qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer. Oferecemos preços competitivos para nosso produto, tornando-o acessível a muitos clientes. Nossa equipe se dedica a fornecer excelente atendimento e suporte ao cliente. Cobrimos muitos dos mercados europeus e americanos e nos esforçamos para nos tornar seu parceiro de longo prazo no fornecimento de plataforma de satélite de grafite MOCVD revestida com SiC confiável e de alta qualidade. Contate-nos hoje para saber mais sobre nosso produto.


Parâmetros da plataforma de satélite de grafite MOCVD revestida com SiC

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades SiC-CVD

Estrutura Cristalina

Fase β do FCC

Densidade

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamanho do grão

μm

2~10

Pureza Química

%

99.99995

Capacidade de calor

J kg-1 K-1

640

Temperatura de Sublimação

2700

Força Felexural

MPa (TR 4 pontos)

415

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)

430

Expansão Térmica (CTE)

10-6K-1

4.5

Condutividade térmica

(W/mK)

300


Características da plataforma de satélite de grafite MOCVD revestida com SiC

-Evite descascar e garanta o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feita por deposição química de vapor CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir uniformidade do perfil térmico
- Evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas




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