A Semicorex é um fornecedor e fabricante respeitável da plataforma de satélite de grafite MOCVD revestida com SiC. Nosso produto é especialmente projetado para atender às necessidades da indústria de semicondutores no crescimento da camada epitaxial no chip wafer. O produto é utilizado como placa central em MOCVD, com design em forma de engrenagem ou anel. Possui alta resistência ao calor e à corrosão, tornando-o ideal para uso em ambientes extremos.
Uma das características mais significativas da nossa plataforma de satélite de grafite MOCVD revestida com SiC é a capacidade de garantir o revestimento em toda a superfície, evitando o descascamento. Possui resistência à oxidação em altas temperaturas, garantindo estabilidade mesmo em altas temperaturas de até 1600°C. O produto é feito com alta pureza através da deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura. Possui uma superfície densa com partículas finas, tornando-o altamente resistente à corrosão por ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
Nossa plataforma de satélite de grafite MOCVD revestida com SiC foi projetada para garantir o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo a uniformidade do perfil térmico. Evita qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer. Oferecemos preços competitivos para o nosso produto, tornando-o acessível a muitos clientes. Nossa equipe se dedica a fornecer excelente atendimento e suporte ao cliente. Cobrimos muitos dos mercados europeus e americanos e nos esforçamos para nos tornar seu parceiro de longo prazo no fornecimento de plataforma de satélite de grafite MOCVD revestida com SiC confiável e de alta qualidade. Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso produto.
Parâmetros da plataforma de satélite de grafite MOCVD revestida com SiC
Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
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Propriedades SiC-CVD |
||
Estrutura de cristal |
FCC fase β |
|
Densidade |
g/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamanho de grão |
¼m |
2~10 |
Pureza Química |
% |
99.99995 |
Capacidade de calor |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Temperatura de Sublimação |
℃ |
2700 |
Força Felexural |
MPa (RT 4 pontos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (dobra de 4pt, 1300â) |
430 |
Expansão Térmica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Características da plataforma de satélite de grafite MOCVD revestida com SiC
- Evite descascar e assegure o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feito por deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir a uniformidade do perfil térmico
- Prevenir qualquer contaminação ou difusão de impurezas