A placa transportadora RTP revestida com SiC Semicorex para crescimento epitaxial é a solução perfeita para aplicações de processamento de wafer semicondutor. Com seus susceptores de grafite de carbono de alta qualidade e cadinhos de quartzo processados por MOCVD na superfície de grafite, cerâmica, etc., este produto é ideal para manuseio de wafer e processamento de crescimento epitaxial. O suporte revestido de SiC garante alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor, tornando-o uma escolha confiável para RTA, RTP ou limpeza química agressiva.
Nossa placa transportadora RTP revestida com SiC para crescimento epitaxial foi projetada para suportar as condições mais difíceis do ambiente de deposição. Com sua alta resistência ao calor e à corrosão, os susceptores de epitaxia são submetidos ao ambiente de deposição perfeito para o crescimento epitaxial. O fino revestimento de cristal de SiC no suporte garante uma superfície lisa e alta durabilidade contra limpeza química, enquanto o material é projetado para evitar rachaduras e delaminação.
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Parâmetros da placa transportadora RTP revestida com SiC para crescimento epitaxial
Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
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Propriedades SiC-CVD |
||
Estrutura de cristal |
FCC fase β |
|
Densidade |
g/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamanho de grão |
μm |
2~10 |
Pureza Química |
% |
99.99995 |
Capacidade de calor |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Temperatura de Sublimação |
℃ |
2700 |
Força Felexural |
MPa (RT 4 pontos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (dobra de 4pt, 1300â) |
430 |
Expansão Térmica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Características da placa transportadora RTP revestida com SiC para crescimento epitaxial
Grafite revestido de SiC de alta pureza
Resistência ao calor superior e uniformidade térmica
Cristal de SiC fino revestido para uma superfície lisa
Alta durabilidade contra limpeza química
O material é projetado para que não ocorram rachaduras e delaminação.