A placa transportadora RTP revestida com SiC Semicorex para crescimento epitaxial é a solução perfeita para aplicações de processamento de wafer semicondutor. Com seus susceptores de grafite de carbono de alta qualidade e cadinhos de quartzo processados por MOCVD na superfície de grafite, cerâmica, etc., este produto é ideal para manuseio de wafers e processamento de crescimento epitaxial. O suporte revestido de SiC garante alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor, tornando-o uma escolha confiável para RTA, RTP ou limpeza química agressiva.
Nossa placa transportadora RTP revestida com SiC para crescimento epitaxial foi projetada para suportar as condições mais difíceis do ambiente de deposição. Com sua alta resistência ao calor e à corrosão, os susceptores de epitaxia estão sujeitos ao ambiente de deposição perfeito para o crescimento epitaxial. O fino revestimento de cristal SiC no suporte garante uma superfície lisa e alta durabilidade contra limpeza química, enquanto o material é projetado para evitar rachaduras e delaminação.
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Parâmetros da placa transportadora RTP revestida com SiC para crescimento epitaxial
Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
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Propriedades SiC-CVD |
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Estrutura Cristalina |
Fase β do FCC |
|
Densidade |
g/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamanho do grão |
μm |
2~10 |
Pureza Química |
% |
99.99995 |
Capacidade de calor |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura de Sublimação |
℃ |
2700 |
Força Felexural |
MPa (TR 4 pontos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C) |
430 |
Expansão Térmica (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Características da placa transportadora RTP revestida com SiC para crescimento epitaxial
Grafite revestida com SiC de alta pureza
Resistência térmica superior e uniformidade térmica
Cristal fino de SiC revestido para uma superfície lisa
Alta durabilidade contra limpeza química
O material é projetado para que não ocorram rachaduras e delaminação.