Placa de suporte de grafite RTP

A placa transportadora de grafite RTP da Semicorex é a solução perfeita para aplicações de processamento de wafer semicondutor, incluindo crescimento epitaxial e processamento de manuseio de wafer. Nosso produto é projetado para oferecer resistência térmica superior e uniformidade térmica, garantindo que os susceptores de epitaxia sejam submetidos ao ambiente de deposição, com alta resistência ao calor e à corrosão.

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Descrição do produto

Nosso produto apresenta grafite revestido com SiC de alta pureza, que oferece excelentes propriedades de distribuição de calor, garantindo que o suporte revestido com SiC tenha uma superfície lisa, livre de rachaduras e delaminação. Nossa placa de suporte de grafite RTP é finamente revestida com carboneto de silício, garantindo que a superfície seja lisa e livre de defeitos. Este produto é altamente durável contra limpeza química agressiva e foi projetado para garantir que não ocorram rachaduras e delaminação.
Oferecemos uma vantagem de preço que nossos concorrentes não conseguem igualar e estamos comprometidos em nos tornar seu parceiro de longo prazo na China.
Com nossa placa de suporte de grafite RTP, você pode ter certeza de excelente desempenho, resistência superior ao calor e uniformidade térmica. O suporte revestido com SiC é projetado para suportar altas temperaturas e é altamente resistente à limpeza química, garantindo sua durabilidade por muitos anos. Nosso produto também foi projetado para ser fácil de usar, tornando-o ideal para usuários novos e experientes.
Na Semicorex, estamos comprometidos em fornecer produtos e serviços de alta qualidade aos nossos clientes. Usamos apenas os melhores materiais e nossos produtos são projetados para atender aos mais altos padrões de qualidade e desempenho. Nossa placa de transporte de grafite RTP não é exceção. Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre como podemos ajudá-lo com suas necessidades de processamento de wafer semicondutor.

Parâmetros da placa transportadora de grafite RTP

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura de cristal	FCC fase β
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	¼m	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (dobra de 4pt, 1300â)	430
Expansão Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características da placa transportadora de grafite RTP

Grafite revestido de SiC de alta pureza
Resistência ao calor superior e uniformidade térmica
Cristal de SiC fino revestido para uma superfície lisa
Alta durabilidade contra limpeza química
O material é projetado para que não ocorram rachaduras e delaminação.