A placa transportadora de grafite RTP da Semicorex é a solução perfeita para aplicações de processamento de wafer semicondutor, incluindo crescimento epitaxial e processamento de manuseio de wafer. Nosso produto foi projetado para oferecer resistência superior ao calor e uniformidade térmica, garantindo que os susceptores de epitaxia sejam submetidos ao ambiente de deposição, com alta resistência ao calor e à corrosão.
Nosso produto apresenta grafite revestido com SiC de alta pureza, que oferece excelentes propriedades de distribuição de calor, garantindo que o suporte revestido com SiC tenha uma superfície lisa, livre de rachaduras e delaminação. Nossa placa transportadora de grafite RTP é finamente revestida com carboneto de silício, garantindo que a superfície seja lisa e livre de quaisquer defeitos. Este produto é altamente durável contra limpezas químicas agressivas e foi projetado para garantir que não ocorram rachaduras e delaminação.
Oferecemos uma vantagem de preço que nossos concorrentes não conseguem igualar e estamos comprometidos em nos tornar seu parceiro de longo prazo na China.
Com nossa placa transportadora de grafite RTP, você pode ter certeza de excelente desempenho, resistência superior ao calor e uniformidade térmica. O suporte revestido de SiC foi projetado para suportar altas temperaturas e é altamente resistente à limpeza química, garantindo sua durabilidade por muitos anos. Nosso produto também foi projetado para ser fácil de usar, tornando-o ideal para usuários novos e experientes.
Na Semicorex, temos o compromisso de fornecer produtos e serviços de alta qualidade aos nossos clientes. Usamos apenas os melhores materiais e nossos produtos são projetados para atender aos mais altos padrões de qualidade e desempenho. Nossa placa transportadora de grafite RTP não é exceção. Contate-nos hoje para saber mais sobre como podemos ajudá-lo com suas necessidades de processamento de wafers semicondutores.
Parâmetros da placa transportadora de grafite RTP
Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
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Propriedades SiC-CVD |
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Estrutura Cristalina |
Fase β do FCC |
|
Densidade |
g/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamanho do grão |
μm |
2~10 |
Pureza Química |
% |
99.99995 |
Capacidade de calor |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura de Sublimação |
℃ |
2700 |
Força Felexural |
MPa (TR 4 pontos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C) |
430 |
Expansão Térmica (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Características da placa transportadora de grafite RTP
Grafite revestida com SiC de alta pureza
Resistência térmica superior e uniformidade térmica
Cristal fino de SiC revestido para uma superfície lisa
Alta durabilidade contra limpeza química
O material é projetado para que não ocorram rachaduras e delaminação.