O transportador de revestimento de SiC Semicorex RTP/RTA foi projetado para suportar as condições mais difíceis do ambiente de deposição. Com sua alta resistência ao calor e à corrosão, este produto foi projetado para fornecer desempenho ideal para crescimento epitaxial. O suporte revestido de SiC possui alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor, garantindo desempenho confiável para RTA, RTP ou limpeza química agressiva.
Nosso transportador de revestimento RTP/RTA SiC para crescimento epitaxial MOCVD é a solução perfeita para manuseio de wafer e processamento de crescimento epitaxial. Com superfície lisa e alta durabilidade contra limpeza química, este produto oferece desempenho confiável em ambientes agressivos de deposição.
O material do nosso suporte de revestimento RTP/RTA SiC é projetado para evitar rachaduras e delaminação, enquanto a resistência superior ao calor e a uniformidade térmica garantem um desempenho consistente para RTA, RTP ou limpeza química agressiva.
Contate-nos hoje para saber mais sobre nosso transportador de revestimento RTP/RTA SiC
Parâmetros do transportador de revestimento RTP/RTA SiC
Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
||
Propriedades SiC-CVD |
||
Estrutura Cristalina |
Fase β do FCC |
|
Densidade |
g/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamanho do grão |
μm |
2~10 |
Pureza Química |
% |
99.99995 |
Capacidade de calor |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura de Sublimação |
℃ |
2700 |
Força Felexural |
MPa (TR 4 pontos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C) |
430 |
Expansão Térmica (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Características do transportador de revestimento RTP/RTA SiC
Grafite revestida com SiC de alta pureza
Resistência térmica superior e uniformidade térmica
Cristal fino de SiC revestido para uma superfície lisa
Alta durabilidade contra limpeza química
O material é projetado para que não ocorram rachaduras e delaminação.