Portador de revestimento SiC RTP/RTA

O Semicorex RTP/RTA SiC Coating Carrier é projetado para suportar as condições mais difíceis do ambiente de deposição. Com sua alta resistência ao calor e à corrosão, este produto é projetado para fornecer desempenho ideal para crescimento epitaxial. O suporte revestido de SiC possui alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor, garantindo um desempenho confiável para RTA, RTP ou limpeza química agressiva.

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Descrição do produto

Nosso transportador de revestimento de SiC RTP/RTA para crescimento epitaxial MOCVD é a solução perfeita para manuseio de wafer e processamento de crescimento epitaxial. Com superfície lisa e alta durabilidade contra limpeza química, este produto oferece desempenho confiável em ambientes de deposição agressivos.
O material do nosso suporte de revestimento RTP/RTA SiC é projetado para evitar rachaduras e delaminação, enquanto a resistência superior ao calor e a uniformidade térmica garantem um desempenho consistente para RTA, RTP ou limpeza química severa.
Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso suporte de revestimento RTP/RTA SiC

Parâmetros do suporte de revestimento RTP/RTA SiC

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades do SiC-CVD
Estrutura de cristal	FCC fase β
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	¼m	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (dobra de 4pt, 1300â)	430
Expansão Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do transportador de revestimento SiC RTP/RTA

Grafite revestido de SiC de alta pureza
Resistência ao calor superior e uniformidade térmica
Cristal de SiC fino revestido para uma superfície lisa
Alta durabilidade contra limpeza química
O material é projetado para que não ocorram rachaduras e delaminação.