Transportador RTP para crescimento epitaxial MOCVD

O Semicorex RTP Carrier para MOCVD Epitaxial Growth é ideal para aplicações de processamento de wafer semicondutor, incluindo crescimento epitaxial e processamento de manuseio de wafer. Susceptores de grafite de carbono e cadinhos de quartzo são processados por MOCVD na superfície de grafite, cerâmica, etc. Nossos produtos têm uma boa vantagem de preço e cobrem muitos dos mercados europeu e americano. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

A Semicorex fornece RTP Carrier para MOCVD Epitaxial Growth usado para suportar wafers, que é realmente estável para RTA, RTP ou limpeza química severa. No centro do processo, os susceptores de epitaxia, são primeiro submetidos ao ambiente de deposição, por isso apresentam alta resistência ao calor e à corrosão. O suporte revestido de SiC também possui alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.
Nosso RTP Carrier para MOCVD Epitaxial Growth é projetado para alcançar o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo a uniformidade do perfil térmico. Isso ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.
Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso RTP Carrier para MOCVD Epitaxial Growth.

Parâmetros do transportador RTP para crescimento epitaxial MOCVD

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades do SiC-CVD
Estrutura de cristal	FCC fase β
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	¼m	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (dobra de 4pt, 1300â)	430
Expansão Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do transportador RTP para crescimento epitaxial MOCVD

Grafite revestido de SiC de alta pureza
Resistência ao calor superior e uniformidade térmica
Cristal de SiC fino revestido para uma superfície lisa
Alta durabilidade contra limpeza química
O material é projetado para que não ocorram rachaduras e delaminação.