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Transportadora RTP para crescimento epitaxial MOCVD

Transportadora RTP para crescimento epitaxial MOCVD

O Semicorex RTP Carrier for MOCVD Epitaxial Growth é ideal para aplicações de processamento de wafer semicondutor, incluindo crescimento epitaxial e processamento de manuseio de wafer. Susceptores de grafite de carbono e cadinhos de quartzo são processados ​​por MOCVD na superfície de grafite, cerâmica, etc. Nossos produtos têm uma boa vantagem de preço e cobrem muitos dos mercados europeus e americanos. Esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

A Semicorex fornece RTP Carrier para MOCVD Epitaxial Growth usado para suportar wafers, que é realmente estável para RTA, RTP ou limpeza química agressiva. No centro do processo, os susceptores de epitaxia são primeiro submetidos ao ambiente de deposição, por isso possuem alta resistência ao calor e à corrosão. O suporte revestido de SiC também possui alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.
Nosso transportador RTP para crescimento epitaxial MOCVD foi projetado para atingir o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo uniformidade do perfil térmico. Isto ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo um crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.
Contate-nos hoje para saber mais sobre nosso transportador RTP para crescimento epitaxial MOCVD.


Parâmetros da transportadora RTP para crescimento epitaxial MOCVD

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades SiC-CVD

Estrutura Cristalina

Fase β do FCC

Densidade

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamanho do grão

μm

2~10

Pureza Química

%

99.99995

Capacidade de calor

J kg-1 K-1

640

Temperatura de sublimação

2700

Força Felexural

MPa (TR 4 pontos)

415

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)

430

Expansão Térmica (CTE)

10-6K-1

4.5

Condutividade térmica

(W/mK)

300


Características do transportador RTP para crescimento epitaxial MOCVD

Grafite revestida com SiC de alta pureza
Resistência térmica superior e uniformidade térmica
Cristal fino de SiC revestido para uma superfície lisa
Alta durabilidade contra limpeza química
O material é projetado para que não ocorram rachaduras e delaminação.





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