A placa transportadora Semicorex SiC Graphite RTP para MOCVD oferece resistência ao calor superior e uniformidade térmica, tornando-a a solução perfeita para aplicações de processamento de wafer semicondutor. Com grafite revestido com SiC de alta qualidade, este produto foi projetado para suportar o ambiente de deposição mais severo para crescimento epitaxial. A alta condutividade térmica e as excelentes propriedades de distribuição de calor garantem um desempenho confiável para RTA, RTP ou limpeza química agressiva.
Nossa placa transportadora RTP de grafite SiC para MOCVD para crescimento epitaxial MOCVD é a solução perfeita para manuseio de wafer e processamento de crescimento epitaxial. Com superfície lisa e alta durabilidade contra limpeza química, este produto garante desempenho confiável em ambientes agressivos de deposição.
O material de nossa placa transportadora RTP de grafite SiC para MOCVD é projetado para evitar rachaduras e delaminação, enquanto a resistência superior ao calor e a uniformidade térmica garantem desempenho consistente para RTA, RTP ou limpeza química agressiva.
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Parâmetros da placa transportadora SiC Graphite RTP para MOCVD
Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
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Propriedades SiC-CVD |
||
Estrutura Cristalina |
Fase β do FCC |
|
Densidade |
g/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamanho do grão |
μm |
2~10 |
Pureza Química |
% |
99.99995 |
Capacidade de calor |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura de sublimação |
℃ |
2700 |
Força Felexural |
MPa (TR 4 pontos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C) |
430 |
Expansão Térmica (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Características da placa transportadora SiC Graphite RTP para MOCVD
Grafite revestida com SiC de alta pureza
Resistência térmica superior e uniformidade térmica
Cristal fino de SiC revestido para uma superfície lisa
Alta durabilidade contra limpeza química
O material é projetado para que não ocorram rachaduras e delaminação.