Susceptores de Epitaxia de Silício

Você pode ter a certeza de comprar Susceptores de Epitaxia de Silício de nossa fábrica. O Susceptor de Epitaxia de Silício da Semicorex é um produto de alta qualidade e alta pureza usado na indústria de semicondutores para o crescimento epitaxial do chip wafer. Nosso produto possui uma tecnologia de revestimento superior que garante que o revestimento esteja presente em todas as superfícies, evitando o descascamento. O produto é estável em altas temperaturas de até 1600°C, tornando-o adequado para uso em ambientes extremos.

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Descrição do produto

Nossos susceptores de epitaxia de silício são feitos por deposição química de vapor CVD sob condições de cloração em alta temperatura, garantindo alta pureza. A superfície do produto é densa, com partículas finas e alta dureza, tornando-o resistente à corrosão por ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
Nosso produto foi projetado para atingir o melhor padrão de fluxo laminar de gás, garantindo a uniformidade do perfil térmico. Nossos susceptores de epitaxia de silício evitam qualquer contaminação ou difusão de impurezas durante o processo de crescimento epitaxial, garantindo resultados de alta qualidade.
Na Semicorex, nos concentramos em fornecer produtos de alta qualidade e econômicos aos nossos clientes. Nossos susceptores de epitaxia de silício têm uma vantagem de preço e são exportados para muitos mercados europeus e americanos. Nosso objetivo é ser seu parceiro de longo prazo, fornecendo produtos de qualidade consistente e atendimento ao cliente excepcional.

Parâmetros dos Susceptores de Epitaxia de Silício

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J kg-1 K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Parâmetros dos Susceptores de Epitaxia de Silício

-Evite descascar e garanta o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feita por deposição química de vapor CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir uniformidade do perfil térmico
- Evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas