Deposição Epitaxial de Silício em Reator Barril

Se você precisa de um susceptor de grafite de alto desempenho para uso em aplicações de fabricação de semicondutores, o reator de deposição epitaxial de silício Semicorex em barril é a escolha ideal. Seu revestimento de SiC de alta pureza e condutividade térmica excepcional fornecem proteção superior e propriedades de distribuição de calor, tornando-o a escolha certa para desempenho confiável e consistente mesmo nos ambientes mais desafiadores.

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Descrição do produto

Semicorex Silicon Epitaxial Deposition In Barrel Reactor é um produto ideal para o cultivo de camadas epixiais em chips de wafer. É um suporte de grafite revestido com SiC de alta pureza que é altamente resistente ao calor e à corrosão, tornando-o perfeito para uso em ambientes extremos. Este susceptor de barril é adequado para LPE e proporciona excelente desempenho térmico, garantindo a uniformidade do perfil térmico. Além disso, garante o melhor padrão de fluxo de gás laminar e evita que contaminação ou impurezas se difundam no wafer.

Na Semicorex, nos concentramos em fornecer produtos de alta qualidade e econômicos aos nossos clientes. Nosso reator de deposição epitaxial de silício em barril tem uma vantagem de preço e é exportado para muitos mercados europeus e americanos. Nosso objetivo é ser seu parceiro de longo prazo, fornecendo produtos de qualidade consistente e atendimento ao cliente excepcional.

Parâmetros de Deposição Epitaxial de Silício em Reator Barril

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características da deposição epitaxial de silício no reator de barril

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel protetor em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- O susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhorando efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em altas temperaturas, resistência à corrosão.