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Susceptor de barril de reator revestido de carboneto

Susceptor de barril de reator revestido de carboneto

O Susceptor de Barril do Reator Revestido com Carboneto Semicorex é um produto de grafite de qualidade premium revestido com SiC de alta pureza, projetado especificamente para processos LPE. Com excelente resistência ao calor e à corrosão, este produto é perfeito para uso em aplicações de fabricação de semicondutores.

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Descrição do produto

Se você está procurando um susceptor de grafite de alto desempenho para formação de camada epitaxial em wafers semicondutores, o susceptor de barril de reator revestido com carboneto Semicorex é uma excelente escolha. Seu revestimento de carboneto de silício proporciona distribuição de calor e condutividade térmica superiores, garantindo desempenho excepcional até mesmo nos ambientes mais exigentes de alta temperatura.

Na Semicorex, nos concentramos em fornecer susceptor de barril de reator revestido de metal duro de alta qualidade e econômico, priorizamos a satisfação do cliente e fornecemos soluções econômicas. Esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo, fornecendo produtos de alta qualidade e atendimento ao cliente excepcional.


Parâmetros do susceptor de barril de reator revestido de carboneto

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades SiC-CVD

Estrutura Cristalina

Fase β do FCC

Densidade

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamanho do grão

μm

2~10

Pureza Química

%

99.99995

Capacidade de calor

J kg-1 K-1

640

Temperatura de Sublimação

2700

Força Felexural

MPa (TR 4 pontos)

415

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)

430

Expansão Térmica (CTE)

10-6K-1

4.5

Condutividade térmica

(W/mK)

300


Características do susceptor de barril de reator revestido de carboneto

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel protetor em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- O susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhorando efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em altas temperaturas, resistência à corrosão.




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