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Susceptor de barril de reator revestido de carboneto

Susceptor de barril de reator revestido de carboneto

O Susceptor de Barril de Reator Revestido de Carboneto Semicorex é um produto de grafite de qualidade premium revestido com SiC de alta pureza, projetado especificamente para processos LPE. Com excelente resistência ao calor e à corrosão, este produto é perfeito para uso em aplicações de fabricação de semicondutores.

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Descrição do produto

Se você está procurando um susceptor de grafite de alto desempenho para formação de camada epitaxial em wafers semicondutores, o susceptor de reator revestido de carboneto Semicorex é uma excelente escolha. Seu revestimento de carboneto de silício fornece distribuição de calor e condutividade térmica superiores, garantindo um desempenho excepcional mesmo nos ambientes de alta temperatura mais exigentes.

Na Semicorex, nos concentramos em fornecer susceptor de barril de reator revestido de carboneto de alta qualidade e econômico, priorizamos a satisfação do cliente e fornecemos soluções econômicas. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo, oferecendo produtos de alta qualidade e atendimento excepcional ao cliente.


Parâmetros do susceptor de barril de reator revestido de carboneto

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades do SiC-CVD

Estrutura de cristal

FCC fase β

Densidade

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamanho de grão

μm

2~10

Pureza Química

%

99.99995

Capacidade de calor

J·kg-1 ·K-1

640

Temperatura de sublimação

2700

Força Felexural

MPa (RT 4 pontos)

415

Módulo de Young

Gpa (dobra de 4pt, 1300â)

430

Expansão Térmica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Condutividade térmica

(W/mK)

300


Características do susceptor de barril de reator revestido de carboneto

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel de proteção em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- Susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhore efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em alta temperatura, resistência à corrosão.




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