O Barril Susceptor Revestido de SiC da Semicorex para Câmara de Reator LPE é uma solução altamente confiável para processos de fabricação de semicondutores, apresentando distribuição de calor superior e propriedades de condutividade térmica. Também é altamente resistente à corrosão, oxidação e altas temperaturas.
O Barril Susceptor Revestido com SiC da Semicorex para a Câmara do Reator LPE é um produto de qualidade premium, fabricado com os mais altos padrões de precisão e durabilidade. Oferece excelente condutividade térmica, resistência à corrosão e é altamente adequado para aplicações LPE na fabricação de semicondutores.
Nosso barril susceptor revestido de SiC para a câmara do reator LPE foi projetado para alcançar o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo a uniformidade do perfil térmico. Isso ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.
Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso tambor susceptor revestido de SiC para câmara de reator LPE.
Parâmetros do cilindro susceptor revestido de SiC para a câmara do reator LPE
Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
||
Propriedades SiC-CVD |
||
Estrutura de cristal |
FCC fase β |
|
Densidade |
g/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamanho de grão |
μm |
2~10 |
Pureza Química |
% |
99.99995 |
Capacidade de calor |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Temperatura de sublimação |
℃ |
2700 |
Força Felexural |
MPa (RT 4 pontos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (dobra de 4pt, 1300â) |
430 |
Expansão Térmica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Características do cilindro susceptor revestido de SiC para a câmara do reator LPE
- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel de proteção em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.
- Susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.
- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhore efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.
- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.
- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em alta temperatura, resistência à corrosão.