Barril susceptor revestido de SiC para câmara de reator epitaxial

O cilindro susceptor revestido com SiC da Semicorex para câmara de reator epitaxial é um produto de qualidade premium, fabricado de acordo com os mais altos padrões de precisão e durabilidade. Oferece excelente condutividade térmica, resistência à corrosão e é altamente adequado para a maioria dos reatores epitaxiais na fabricação de semicondutores.
Nosso barril susceptor revestido de SiC para câmara de reator epitaxial foi projetado para atingir o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo uniformidade do perfil térmico. Isto ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo um crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.
Contate-nos hoje para saber mais sobre nosso barril susceptor revestido de SiC para câmara de reator epitaxial.

Parâmetros do barril susceptor revestido de SiC para câmara do reator epitaxial

Características do cilindro susceptor revestido de SiC para câmara do reator epitaxial

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel protetor em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- O susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhorando efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em altas temperaturas, resistência à corrosão.