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Susceptor de barril revestido de carboneto de silício SiC
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Susceptor de barril revestido de carboneto de silício SiC

Semicorex é um fabricante independente líder de susceptor de barril revestido de carboneto de silício SiC, grafite de alta pureza usinado com precisão, com foco nas áreas de grafite revestido de carboneto de silício, cerâmica de carboneto de silício e MOCVP de fabricação de semicondutores. Nosso susceptor de barril revestido de carboneto de silício SiC tem uma boa vantagem de preço e cobre muitos dos mercados europeus e americanos. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

SemicorexSusceptor de barril revestido de carboneto de silício SiCé um produto de grafite revestido com SiC altamente purificado, que possui alta resistência ao calor e à corrosão. É adequado para LPE. OCarboneto de SilícioSusceptor de barril revestido de SiC utilizado em processos que formam a camada epixial em wafers semicondutores, que possui alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

Contate-nos hoje para saber mais sobre nossosCarboneto de SilícioSusceptor de barril revestido de SiC.


Parâmetros deCarboneto de silício revestido com SiCReceptor de barril

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades SiC-CVD

Estrutura Cristalina

Fase β do FCC

Densidade

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamanho do grão

μm

2~10

Pureza Química

%

99.99995

Capacidade de calor

J kg-1 K-1

640

Temperatura de sublimação

2700

Força Felexural

MPa (TR 4 pontos)

415

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)

430

Expansão Térmica (CTE)

10-6K-1

4.5

Condutividade térmica

(W/mK)

300


Recursos deCarboneto de silício revestido com SiCReceptor de barril

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel protetor em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- O susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhorando efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em altas temperaturas, resistência à corrosão.




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