O barril de grafite revestido com carboneto de silício Semicorex é a escolha perfeita para aplicações de fabricação de semicondutores que exigem alta resistência ao calor e à corrosão. Sua excepcional condutividade térmica e propriedades de distribuição de calor o tornam ideal para uso em processos LPE e outros ambientes de alta temperatura.
Quando se trata de fabricação de semicondutores, o barril de grafite revestido de carboneto de silício Semicorex é a melhor escolha para desempenho e confiabilidade excepcionais. Seu revestimento de SiC de alta qualidade e densidade e condutividade térmica superiores fornecem proteção e distribuição de calor superiores mesmo nos ambientes corrosivos e de alta temperatura mais desafiadores.
Nosso barril de grafite revestido com carboneto de silício garante um perfil térmico uniforme, garantindo o melhor padrão de fluxo de gás laminar. Ele evita que qualquer contaminação ou impurezas se difundam no wafer, tornando-o ideal para uso em ambientes de sala limpa. Semicorex é um fabricante e fornecedor em grande escala de susceptor de grafite revestido de SiC na China, e nossos produtos têm uma boa vantagem de preço. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na indústria de semicondutores.
Parâmetros do barril de grafite revestido com carboneto de silício
Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
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Propriedades do SiC-CVD |
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Estrutura de cristal |
FCC fase β |
|
Densidade |
g/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamanho de grão |
μm |
2~10 |
Pureza Química |
% |
99.99995 |
Capacidade de calor |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Temperatura de sublimação |
℃ |
2700 |
Força Felexural |
MPa (RT 4 pontos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (dobra de 4pt, 1300â) |
430 |
Expansão Térmica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Características do barril de grafite revestido com carboneto de silício
- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel de proteção em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.
- Susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.
- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhore efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.
- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.
- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em alta temperatura, resistência à corrosão.