Barril de grafite revestido com carboneto de silício

O barril de grafite revestido com carboneto de silício Semicorex é a escolha perfeita para aplicações de fabricação de semicondutores que exigem alta resistência ao calor e à corrosão. Sua excepcional condutividade térmica e propriedades de distribuição de calor o tornam ideal para uso em processos LPE e outros ambientes de alta temperatura.

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Descrição do produto

Quando se trata de fabricação de semicondutores, o cilindro de grafite revestido com carboneto de silício Semicorex é a melhor escolha para desempenho e confiabilidade excepcionais. Seu revestimento de SiC de alta qualidade e densidade e condutividade térmica superiores proporcionam distribuição de calor e proteção superiores até mesmo nos ambientes corrosivos e de alta temperatura mais desafiadores.

Nosso barril de grafite revestido com carboneto de silício garante um perfil térmico uniforme, garantindo o melhor padrão de fluxo de gás laminar. Impede que qualquer contaminação ou impurezas se difundam no wafer, tornando-o ideal para uso em ambientes de salas limpas. Semicorex é um fabricante e fornecedor em grande escala de susceptor de grafite revestido de SiC na China, e nossos produtos têm uma boa vantagem de preço. Esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo na indústria de semicondutores.

Parâmetros do barril de grafite revestido com carboneto de silício

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J kg-1 K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do barril de grafite revestido com carboneto de silício

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel protetor em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- O susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhorando efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em altas temperaturas, resistência à corrosão.