Os susceptores Semicorex SiC Wafer para MOCVD são um modelo de precisão e inovação, criados especificamente para facilitar a deposição epitaxial de materiais semicondutores em wafers. As propriedades superiores dos materiais das placas permitem-lhes resistir às condições rigorosas de crescimento epitaxial, incluindo altas temperaturas e ambientes corrosivos, tornando-as indispensáveis para a fabricação de semicondutores de alta precisão. Nós da Semicorex nos dedicamos à fabricação e fornecimento de susceptores de wafer SiC de alto desempenho para MOCVD que combinam qualidade com economia.
A combinação de estabilidade térmica, resistência química e robustez mecânica garante que os susceptores Semicorex SiC Wafer para MOCVD tenham uma longa vida operacional, mesmo sob condições adversas de processamento:
1. Esses susceptores de wafer de SiC para MOCVD são projetados para suportar temperaturas extremamente altas, geralmente excedendo 1.500°C, sem degradação. Essa resiliência é crucial para processos que exigem exposição prolongada a ambientes térmicos elevados. As propriedades térmicas superiores minimizam gradientes térmicos e tensões dentro do susceptor, reduzindo assim o risco de empenamento ou deformação sob temperaturas extremas de processamento.
2. O revestimento de SiC dos susceptores de wafer de SiC para MOCVD oferece resistência excepcional a produtos químicos corrosivos usados em processos de CVD, como gases à base de halogênio. Esta inércia garante que os transportadores não reajam com os gases do processo, mantendo assim a integridade e a pureza dos filmes depositados.
3. A construção robusta desses susceptores de wafer de SiC para MOCVD garante que eles possam suportar as tensões mecânicas de manuseio e processamento sem gerar partículas que possam contaminar o wafer. A uniformidade da superfície dos susceptores promove condições de processamento reproduzíveis, essenciais para a produção de dispositivos semicondutores com desempenho e confiabilidade consistentes.
Essas descrições expandidas destacam as vantagens profissionais e técnicas dos susceptores de wafer de SiC para MOCVD em processos CVD de semicondutores, enfatizando suas propriedades e benefícios exclusivos na manutenção de altos padrões de pureza, desempenho e eficiência no processo de fabricação.



Susceptor de grafite revestido de SiC para MOCVD
Susceptor MOCVD revestido de SiC
Susceptor MOCVD para crescimento epitaxial
Placa de disco estrela de cobertura MOCVD para Wafer Epitaxy
Plataforma de satélite de grafite MOCVD revestida com SiC