Segmento Interno SiC MOCVD

O segmento interno Semicorex SiC MOCVD foi projetado para desempenho e confiabilidade, fornecendo um componente crítico para o exigente processo de epitaxia de SiC. Ao aproveitar materiais de alta pureza e técnicas avançadas de fabricação, o segmento interno SiC MOCVD permite o crescimento de epilayers de SiC de alta qualidade, essenciais para a próxima geração de eletrônica de potência e outras aplicações avançadas de semicondutores:

Vantagens materiais:

O segmento interno SiC MOCVD é construído usando uma combinação de materiais robustos e de alto desempenho:

Substrato de grafite de ultra-alta pureza (teor de cinzas < 5 ppm):O substrato de grafite fornece uma base sólida para o segmento de cobertura. Seu teor de cinzas excepcionalmente baixo minimiza os riscos de contaminação, garantindo a pureza das epilayers de SiC durante o processo de crescimento.

Revestimento CVD SiC de alta pureza (pureza ≥ 99,99995%):Um processo de deposição química de vapor (CVD) é empregado para aplicar um revestimento SiC uniforme e de alta pureza no substrato de grafite. Esta camada de SiC oferece resistência superior aos precursores reativos usados ​​na epitaxia de SiC, evitando reações indesejadas e garantindo estabilidade a longo prazo.

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Vantagens de desempenho em ambientes MOCVD:

Estabilidade excepcional em altas temperaturas:A combinação de grafite de alta pureza e SiC CVD proporciona excelente estabilidade nas temperaturas elevadas exigidas para a epitaxia do SiC (normalmente acima de 1.500°C). Isso garante um desempenho consistente e evita empenamento ou deformação durante o uso prolongado.

Resistência a Precursores Agressivos:O segmento interno do SiC MOCVD apresenta excelente resistência química aos precursores agressivos, como o silano (SiH4) e o trimetilalumínio (TMAl), comumente empregados nos processos SiC MOCVD. Isto evita a corrosão e garante a integridade a longo prazo do segmento de cobertura.

Baixa geração de partículas:A superfície lisa e não porosa do segmento interno SiC MOCVD minimiza a geração de partículas durante o processo MOCVD. Isto é crucial para manter um ambiente de processo limpo e obter epilayers de SiC de alta qualidade e livres de defeitos.

Uniformidade aprimorada do wafer:As propriedades térmicas uniformes do segmento interno SiC MOCVD, combinadas com sua resistência à deformação, contribuem para melhorar a uniformidade de temperatura em todo o wafer durante a epitaxia. Isto leva a um crescimento mais homogêneo e a uma melhor uniformidade das epicamadas de SiC.

Vida útil estendida:As propriedades robustas do material e a resistência superior a condições adversas de processo se traduzem em uma vida útil prolongada para o segmento interno Semicorex SiC MOCVD. Isto reduz a frequência de substituições, minimizando o tempo de inatividade e reduzindo os custos operacionais gerais.