Segmento de cobertura SiC MOCVD

O segmento de cobertura Semicorex SiC MOCVD aproveita uma combinação sinérgica de materiais selecionados por seu desempenho sob temperaturas extremas e na presença de precursores altamente reativos. O núcleo de cada segmento é construído a partir deGrafite Isostática de alta pureza, ostentando um teor de cinzas abaixo de 5 ppm. Esta pureza excepcional minimiza riscos potenciais de contaminação, garantindo a integridade das epicamadas de SiC que estão sendo cultivadas. Exceto por isso, um aplicado com precisãoRevestimento de SiC por Deposição Química de Vapor (CVD)forma uma barreira protetora sobre o substrato de grafite. Esta camada de alta pureza (≥ 6N) apresenta excelente resistência aos precursores agressivos comumente usados ​​na epitaxia de SiC.

Principais recursos:

Estas características do material se traduzem em benefícios tangíveis dentro do exigente ambiente do SiC MOCVD:

Resiliência inabalável à temperatura: A resistência combinada do segmento de cobertura SiC MOCVD garante a integridade estrutural e evita empenamento ou deformação, mesmo em temperaturas extremas (muitas vezes superiores a 1.500°C) exigidas para a epitaxia de SiC.

Resistência a ataques químicos: A camada CVD SiC atua como um escudo robusto contra a natureza corrosiva dos precursores comuns da epitaxia de SiC, como o silano e o trimetilalumínio. Essa proteção mantém a integridade do segmento de cobertura SiC MOCVD durante o uso prolongado, minimizando a geração de partículas e garantindo um ambiente de processo mais limpo.

Promovendo a uniformidade do wafer: A estabilidade térmica e a uniformidade inerentes do segmento de cobertura SiC MOCVD contribuem para um perfil de temperatura distribuído de maneira mais uniforme em todo o wafer durante a epitaxia. Isto resulta em crescimento mais homogêneo e uniformidade superior das epicamadas de SiC depositadas.

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Benefícios Operacionais:

Além das melhorias de processo, o segmento de cobertura Semicorex SiC MOCVD oferece vantagens operacionais significativas:

Vida útil prolongada: A seleção e construção robustas de materiais traduzem-se numa vida útil prolongada dos segmentos de cobertura, reduzindo a necessidade de substituições frequentes. Isso minimiza o tempo de inatividade do processo e contribui para reduzir os custos operacionais gerais.

Epitaxia de alta qualidade habilitada: Em última análise, o avançado segmento de cobertura SiC MOCVD contribui diretamente para a produção de epicamadas de SiC superiores, abrindo caminho para dispositivos SiC de alto desempenho usados ​​em eletrônica de potência, tecnologia de RF e outras aplicações exigentes.