Portadores de wafer de substrato de grafite com revestimento SiC para MOCVD

O transportador de wafer de substrato de grafite com revestimento de SiC para MOCVD desempenha um papel crucial no processo de fabricação de semicondutores. Nosso produto é altamente estável, mesmo em ambientes extremos, tornando-o uma excelente escolha para a produção de wafers de alta qualidade.
As características de nossos transportadores de wafer de substrato de grafite com revestimento de SiC para MOCVD são excelentes. Sua superfície densa e partículas finas aumentam sua resistência à corrosão, tornando-o resistente a ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos. O transportador garante um perfil térmico uniforme e garante o melhor padrão de fluxo de gás laminar, evitando que qualquer contaminação ou impurezas se difundam no wafer.

Parâmetros de transportadores de wafer de substrato de grafite com revestimento de SiC para MOCVD

Características do susceptor de grafite revestido de SiC para MOCVD

-Evite descascar e garanta o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feita por deposição química de vapor CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir uniformidade do perfil térmico
- Evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas