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Suportes de Wafer de Substrato de Grafite com Revestimento SiC para MOCVD

Você pode ter certeza de comprar SiC Coating Graphite Substrate Wafer Carriers para MOCVD de nossa fábrica. Na Semicorex, somos um fabricante e fornecedor em larga escala de Susceptor de Grafite Revestido com SiC na China. Nosso produto tem uma boa vantagem de preço e abrange muitos dos mercados europeus e americanos. Nós nos esforçamos para fornecer aos nossos clientes produtos de alta qualidade que atendam às suas necessidades específicas. Nosso transportador de wafer de substrato de grafite com revestimento de SiC para MOCVD é uma excelente opção para quem procura um transportador de alto desempenho para seu processo de fabricação de semicondutores.

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Descrição do produto

O SiC Coating Graphite Substrate Wafer Carrier para MOCVD desempenha um papel crucial no processo de fabricação de semicondutores. Nosso produto é altamente estável, mesmo em ambientes extremos, tornando-o uma excelente escolha para a produção de wafers de alta qualidade.
As características de nossos portadores de Wafer de substrato de grafite com revestimento de SiC para MOCVD são excelentes. Sua superfície densa e partículas finas aumentam sua resistência à corrosão, tornando-o resistente a ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos. O transportador garante um perfil térmico uniforme e garante o melhor padrão de fluxo de gás laminar, evitando que qualquer contaminação ou impurezas se difundam no wafer.

Parâmetros de suportes de pastilhas de substrato de grafite com revestimento de SiC para MOCVD

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura de cristal	FCC fase β
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	¼m	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (dobra de 4pt, 1300â)	430
Expansão Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do susceptor de grafite revestido com SiC para MOCVD

-Evite descascar e garantir o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feito por deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir a uniformidade do perfil térmico
- Prevenir qualquer contaminação ou difusão de impurezas

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