Susceptor de crescimento de cristal LPE revestido com SiC

Com seu alto ponto de fusão, resistência à oxidação e resistência à corrosão, o susceptor de crescimento de cristal LPE revestido com SiC Semicorex é a escolha ideal para uso em aplicações de crescimento de cristal único. Seu revestimento de carboneto de silício oferece excelentes propriedades de planicidade e distribuição de calor, tornando-o uma escolha ideal para ambientes de alta temperatura.

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Descrição do produto

O susceptor de crescimento de cristal LPE revestido com SiC Semicorex é a escolha perfeita para a formação de camada epixial em wafers semicondutores, graças à sua excepcional condutividade térmica e propriedades de distribuição de calor. Seu revestimento de SiC de alta pureza oferece proteção superior mesmo nos ambientes corrosivos e de alta temperatura mais exigentes.

Nosso susceptor de crescimento de cristal LPE revestido com SiC foi projetado para alcançar o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo a uniformidade do perfil térmico. Isso ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.

Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso susceptor de crescimento de cristal LPE revestido com SiC.

Parâmetros do susceptor de crescimento de cristal LPE revestido com SiC

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades do SiC-CVD
Estrutura de cristal	FCC fase β
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	¼m	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (dobra de 4pt, 1300â)	430
Expansão Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do susceptor de crescimento de cristal LPE revestido com SiC

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel de proteção em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- Susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhore efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em alta temperatura, resistência à corrosão.

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