Susceptor de Crescimento de Cristal Revestido com SiC

Com seu alto ponto de fusão, resistência à oxidação e resistência à corrosão, o Susceptor de Crescimento de Cristal Revestido com SiC Semicorex é a escolha ideal para uso em aplicações de crescimento de cristal único. Seu revestimento de carboneto de silício oferece excelentes propriedades de planicidade e distribuição de calor, tornando-o a escolha ideal para ambientes de alta temperatura.

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Descrição do produto

O susceptor de crescimento de cristal revestido com SiC Semicorex é a escolha perfeita para a formação de camada epitaxial em wafers semicondutores, graças à sua excepcional condutividade térmica e propriedades de distribuição de calor. Seu revestimento de SiC de alta pureza oferece proteção superior até mesmo nos ambientes corrosivos e de alta temperatura mais exigentes.
Nosso susceptor de crescimento de cristal revestido com SiC foi projetado para atingir o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo uniformidade do perfil térmico. Isto ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo um crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.
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Parâmetros do Susceptor de Crescimento de Cristal Revestido com SiC

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do Susceptor de Crescimento de Cristal Revestido com SiC

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel protetor em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- O susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhorando efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em altas temperaturas, resistência à corrosão.