Susceptor de barril de grafite revestido com SiC

Se você está procurando um susceptor de grafite de alto desempenho para uso em aplicações de fabricação de semicondutores, o susceptor de barril de grafite revestido com SiC da Semicorex é a escolha ideal. Sua excepcional condutividade térmica e propriedades de distribuição de calor o tornam a escolha ideal para um desempenho confiável e consistente em ambientes corrosivos e de alta temperatura.

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Descrição do produto

O susceptor de barril de grafite revestido com SiC Semicorex é a escolha perfeita para aplicações de fabricação de semicondutores que exigem distribuição de calor e condutividade térmica excepcionais. Seu revestimento de SiC de alta pureza e densidade superior fornecem proteção superior e propriedades de distribuição de calor, garantindo desempenho confiável e consistente mesmo nos ambientes mais desafiadores.

Nosso susceptor de barril de grafite revestido com SiC foi projetado para obter o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo a uniformidade do perfil térmico. Isso ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.

Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso susceptor de barril de grafite revestido com SiC.

Parâmetros do susceptor de barril de grafite revestido com SiC

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura de cristal	FCC fase β
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	Î¼m	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (dobra de 4pt, 1300â)	430
Expansão Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do susceptor de barril de grafite revestido com SiC

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel de proteção em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- Susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhore efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em alta temperatura, resistência à corrosão.